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메모리 IC

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MT47H32M16CC-5E L:B TR
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 600ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)
재고 있음5,022
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,028
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,506
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,392
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,730
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,086
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,856
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음16,419
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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  • 접근 시간: 400ps
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,906
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
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  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음1,886
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음6,552
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
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  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,704
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음5,418
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음23,286
MT47H32M16HR-3:G
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음2,250
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,794
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음2,466
MT47H32M16HW-25E:G
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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음5,796
MT47H32M16HW-25E IT:G
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,834
MT47H32M16NF-187E:H
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,536
MT47H32M16NF-187E:H TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음5,976
MT47H32M16NF-25E AAT:H
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,032
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512M (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,136
MT47H32M16NF-25E AIT:H
MT47H32M16NF-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음5,166
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512M (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음4,878
MT47H32M16NF-25E AUT:H
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,902
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,506
MT47H32M16NF-25E:H
MT47H32M16NF-25E:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음15,057
MT47H32M16NF-25E:H TR
MT47H32M16NF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512M (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,046
MT47H32M16NF-25E IT:H
MT47H32M16NF-25E IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음51,580