메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT47H256M8THN-25E:M TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음7,218
MT47H256M8THN-3:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음6,426
MT47H256M8THN-3:H TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음5,688
MT47H256M8THN-3 IT:H Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-TFBGA 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)	재고 있음2,484
MT47H32M16BN-25:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음2,880
MT47H32M16BN-25E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음7,794
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음3,132
MT47H32M16BN-37E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,658
MT47H32M16BN-37E IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음3,420
MT47H32M16BN-3:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음4,428
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,658
MT47H32M16BN-5E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음8,496
MT47H32M16BN-5E IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)	재고 있음2,178
MT47H32M16BT-37E:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 92-VFBGA 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)	재고 있음8,100
MT47H32M16BT-3:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 92-VFBGA 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)	재고 있음6,156
MT47H32M16CC-37E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음6,534
MT47H32M16CC-37E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음4,176
MT47H32M16CC-37E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음4,428
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음7,992
MT47H32M16CC-37E L:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음8,784
MT47H32M16CC-37E L:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음5,256
MT47H32M16CC-3:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음2,538
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음8,226
MT47H32M16CC-3E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음6,894
MT47H32M16CC-3E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음3,436
MT47H32M16CC-5E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음701
MT47H32M16CC-5E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음2,286
MT47H32M16CC-5E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음5,274
MT47H32M16CC-5E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음4,266
MT47H32M16CC-5E L:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)	재고 있음2,016

MT47H256M8THN-25E:M TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음7,218

MT47H256M8THN-3:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음6,426

MT47H256M8THN-3:H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음5,688

MT47H256M8THN-3 IT:H

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-TFBGA
공급자 장치 패키지: 63-FBGA (8x10)

재고 있음2,484

MT47H32M16BN-25:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)

재고 있음2,880

MT47H32M16BN-25E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)

재고 있음7,794

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)

재고 있음3,132

MT47H32M16BN-37E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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재고 있음8,658

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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시계 주파수: 267MHz
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재고 있음3,420

MT47H32M16BN-3:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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재고 있음4,428

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
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재고 있음8,658

MT47H32M16BN-5E:D TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
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패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)

재고 있음8,496

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10x12.5)

재고 있음2,178

MT47H32M16BT-37E:A TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음8,100

MT47H32M16BT-3:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 92-VFBGA
공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)

재고 있음6,156

MT47H32M16CC-37E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음6,534

MT47H32M16CC-37E:B TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음4,176

MT47H32M16CC-37E IT:B

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음4,428

MT47H32M16CC-37E IT:B TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
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접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음7,992

MT47H32M16CC-37E L:B

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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접근 시간: 500ps
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음8,784

MT47H32M16CC-37E L:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
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접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음5,256

MT47H32M16CC-3:B

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음2,538

MT47H32M16CC-3:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음8,226

MT47H32M16CC-3E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음6,894

MT47H32M16CC-3E:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음3,436

MT47H32M16CC-5E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음701

MT47H32M16CC-5E:B TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음2,286

MT47H32M16CC-5E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음5,274

MT47H32M16CC-5E IT:B TR

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제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

재고 있음4,266

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시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (12x12.5)

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