메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,322
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,472
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,492
MT48LC8M32B2P-6 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음8,838
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음6,786
MT48LC8M32B2P-7 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음6,732
MT48LC8M32B2TG-6 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음7,362
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,852
MT48LC8M32B2TG-7 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 6ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음7,704
MT48LC8M32LFB5-10 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,588
MT48LC8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,734
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,150
MT48LC8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,064
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,694
MT48LC8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,480
MT48LC8M32LFF5-10 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,226
MT48LC8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,140
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,754
MT48LC8M32LFF5-10 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,182
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,712
MT48LC8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,002
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,844
MT48LC8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,086
MT48LC8M8A2P-6A:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,492
MT48LC8M8A2P-6A:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,150
MT48LC8M8A2P-75:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음4,049
MT48LC8M8A2P-75:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,416
MT48LC8M8A2P-75 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,560
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,442
MT48LC8M8A2P-75 L:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,190

MT48LC8M32B2F5-7 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,322

MT48LC8M32B2F5-7 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,472

MT48LC8M32B2F5-7 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,492

MT48LC8M32B2P-6 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음8,838

MT48LC8M32B2P-7 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음6,786

MT48LC8M32B2P-7 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음6,732

MT48LC8M32B2TG-6 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음7,362

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,852

MT48LC8M32B2TG-7 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 6ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음7,704

MT48LC8M32LFB5-10

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,588

MT48LC8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,734

MT48LC8M32LFB5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,150

MT48LC8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,064

MT48LC8M32LFB5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,694

MT48LC8M32LFB5-8 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,480

MT48LC8M32LFF5-10

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,226

MT48LC8M32LFF5-10 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,140

MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,754

MT48LC8M32LFF5-10 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,182

MT48LC8M32LFF5-8

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,712

MT48LC8M32LFF5-8 IT

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,002

MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,844

MT48LC8M32LFF5-8 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,086

MT48LC8M8A2P-6A:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,492

MT48LC8M8A2P-6A:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,150

MT48LC8M8A2P-75:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음4,049

MT48LC8M8A2P-75:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,416

MT48LC8M8A2P-75 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,560

MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,442

MT48LC8M8A2P-75 L:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,190

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message