메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT48LC8M8A2P-7E:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,514
MT48LC8M8A2P-7E:J Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,938
MT48LC8M8A2P-7E:J TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,038
MT48LC8M8A2P-7E L:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음4,662
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음4,500
MT48LC8M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,534
MT48LC8M8A2TG-75 L:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음5,058
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,812
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,544
MT48V4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,500
MT48V4M32LFB5-10:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,660
MT48V4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,938
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,416
MT48V4M32LFB5-8:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,220
MT48V4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,452
MT48V4M32LFB5-8 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,870
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,110
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -20°C ~ 75°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,870
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -20°C ~ 75°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,856
MT48V4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,652
MT48V4M32LFF5-10 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,200
MT48V4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,598
MT48V4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,586
MT48V4M32LFF5-8 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,964
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,192
MT48V8M16LFB4-10:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,352
MT48V8M16LFB4-10:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음2,610
MT48V8M16LFB4-10 IT:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음6,912
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,622
MT48V8M16LFB4-8:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 7ns 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)	재고 있음8,912

MT48LC8M8A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,514

MT48LC8M8A2P-7E:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,938

MT48LC8M8A2P-7E:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,038

MT48LC8M8A2P-7E L:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음4,662

MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음4,500

MT48LC8M8A2TG-75:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,534

MT48LC8M8A2TG-75 L:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음5,058

MT48LC8M8A2TG-7E L:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,812

MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,544

MT48V4M32LFB5-10:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,500

MT48V4M32LFB5-10:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,660

MT48V4M32LFB5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,938

MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,416

MT48V4M32LFB5-8:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,220

MT48V4M32LFB5-8:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,452

MT48V4M32LFB5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,870

MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,110

MT48V4M32LFB5-8 XT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -20°C ~ 75°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,870

MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -20°C ~ 75°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,856

MT48V4M32LFF5-10:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,652

MT48V4M32LFF5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,200

MT48V4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,598

MT48V4M32LFF5-8:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,586

MT48V4M32LFF5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,964

MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,192

MT48V8M16LFB4-10:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,352

MT48V8M16LFB4-10:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음2,610

MT48V8M16LFB4-10 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음6,912

MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,622

MT48V8M16LFB4-8:G

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 7ns
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

재고 있음8,912

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