메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT49H16M18BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,176
MT49H16M18BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,268
MT49H16M18BM-33 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,052
MT49H16M18BM-33 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음6,372
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,690
MT49H16M18BM-5:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,438
MT49H16M18CBM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,938
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,456
MT49H16M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,878
MT49H16M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,338
MT49H16M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,418
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,842
MT49H16M18CFM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,366
MT49H16M18CFM-5 IT Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,680
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음6,588
MT49H16M18CSJ-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음2,106
MT49H16M18CSJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음3,366
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,820
MT49H16M18CTR-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,312
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,618
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,654
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,878
MT49H16M18FM-25 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,258
MT49H16M18FM-33:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,538
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,778
MT49H16M18FM-33 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,100
MT49H16M18SJ-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음3,960
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음2,142
MT49H16M18SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음2,142
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음5,616

MT49H16M18BM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,176

MT49H16M18BM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,268

MT49H16M18BM-33

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,052

MT49H16M18BM-33 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음6,372

MT49H16M18BM-5:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,690

MT49H16M18BM-5:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,438

MT49H16M18CBM-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,938

MT49H16M18CBM-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,456

MT49H16M18CBM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음4,878

MT49H16M18CBM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음4,338

MT49H16M18CFM-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
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재고 있음3,418

MT49H16M18CFM-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
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재고 있음4,842

MT49H16M18CFM-33:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,366

MT49H16M18CFM-5 IT

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,680

MT49H16M18CSJ-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음6,588

MT49H16M18CSJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음2,106

MT49H16M18CSJ-25 IT:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음3,366

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음8,820

MT49H16M18CTR-25:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,312

MT49H16M18FM-25:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,618

MT49H16M18FM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,654

MT49H16M18FM-25 IT:B TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,878

MT49H16M18FM-25 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,258

MT49H16M18FM-33:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,538

MT49H16M18FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음5,778

MT49H16M18FM-33 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,100

MT49H16M18SJ-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음3,960

MT49H16M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음2,142

MT49H16M18SJ-25 IT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음2,142

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

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