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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
RD48F4000P0ZBQ0A
RD48F4000P0ZBQ0A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 88SCSP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: StrataFlash™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 52MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-VFBGA, CSPBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-SCSP (11x8)
재고 있음4,086
RD48F4400P0VBQ0A
RD48F4400P0VBQ0A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 88SCSP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Axcell™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 52MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA, CSPBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-SCSP (8x11)
재고 있음3,960
RD48F4400P0VBQE3
RD48F4400P0VBQE3

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 88SCSP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Axcell™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 52MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA, CSPBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-SCSP (8x11)
재고 있음3,508
RD48F4400P0VBQE4
RD48F4400P0VBQE4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 88SCSP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Axcell™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 52MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA, CSPBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-SCSP (8x11)
재고 있음7,560
RD48F4400P0VBQEJ
RD48F4400P0VBQEJ

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 88SCSP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Axcell™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 52MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA, CSPBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-SCSP (8x11)
재고 있음6,282
RM24C128A-BSNC-B
RM24C128A-BSNC-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 50ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,736
RM24C128A-BSNC-T
RM24C128A-BSNC-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 50ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,060
RM24C128A-BTAC-B
RM24C128A-BTAC-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 50ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음8,802
RM24C128A-BTAC-T
RM24C128A-BTAC-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 50ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음4,158
RM24C128C-LMAI-T
RM24C128C-LMAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8UDFN

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UDFN (2x3)
재고 있음8,118
RM24C128C-LSNI-B
RM24C128C-LSNI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,436
RM24C128C-LSNI-T
RM24C128C-LSNI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,318
RM24C128C-LTAI-B
RM24C128C-LTAI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음3,330
RM24C128C-LTAI-T
RM24C128C-LTAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,722
RM24C128DS-LMAI-T
RM24C128DS-LMAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8UDFN

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UDFN (2x3)
재고 있음3,834
RM24C128DS-LSNI-B
RM24C128DS-LSNI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,930
RM24C128DS-LSNI-T
RM24C128DS-LSNI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,312
RM24C128DS-LTAI-B
RM24C128DS-LTAI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,462
RM24C128DS-LTAI-T
RM24C128DS-LTAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 128kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,272
RM24C256C-LMAI-T
RM24C256C-LMAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8UDFN

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UDFN (2x3)
재고 있음3,186
RM24C256C-LSNI-B
RM24C256C-LSNI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,852
RM24C256C-LSNI-T
RM24C256C-LSNI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,950
RM24C256C-LTAI-B
RM24C256C-LTAI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,354
RM24C256C-LTAI-T
RM24C256C-LTAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음2,214
RM24C256DS-LMAI-T
RM24C256DS-LMAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8UDFN

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UDFN (2x3)
재고 있음6,876
RM24C256DS-LSNI-B
RM24C256DS-LSNI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,968
RM24C256DS-LSNI-T
RM24C256DS-LSNI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,550
RM24C256DS-LTAI-B
RM24C256DS-LTAI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음4,356
RM24C256DS-LTAI-T
RM24C256DS-LTAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 256kb (64B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음2,232
RM24C32C-BSNC-B
RM24C32C-BSNC-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 32K I2C 750KHZ 8SOIC

  • 제조업체: Adesto Technologies
  • 시리즈: Mavriq™
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: CBRAM®
  • 기술: CBRAM
  • 메모리 크기: 32kb (32B Page Size)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 750kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,964