메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
5962-8855202XA IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음8,658
5962-8855204XA IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CerDip	재고 있음4,716
5962-9232404MXA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음6,768
5962-9232404MYA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-LCC 공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)	재고 있음2,610
5962-9232406MYA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-LCC 공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)	재고 있음7,938
5962-9459901MXA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음8,622
5962-9459903MXA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음8,946
5962-9459903MYA Cypress Semiconductor	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-LCC 공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)	재고 있음8,478
5962F1120101QXA Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음7,938
5962F1120102QXA Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음5,724
5962F1120201QXA Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음7,830
5962F1120202QXA Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음2,808
5962F1123501QXA Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 36CERPAK 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-CFlatPack 공급자 장치 패키지: 36-Ceramic FlatPack	재고 있음2,754
602-00001 Parallax	기억 IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: 900ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음3,510
602-00005 Parallax	기억 IC EEPROM 2K 8DIP 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (256 x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음2,106
602-00013 Parallax	기억 IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8DIP 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 128Kb (16K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: 900ns 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음6,642
602-00032 Parallax	기억 IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8DIP 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: 900ns 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-DIP	재고 있음2,088
602-10001 Parallax	기억 IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: 550ns 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음3,672
602-20011 Parallax	기억 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (512 x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,382
602-20012 Parallax	기억 IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 128Kb (16K x 8) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,056
6116LA120DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음8,604
6116LA120TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음8,064
6116LA150DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음98
6116LA150TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음6,750
6116LA15SOGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,178
6116LA20SOG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,430
6116LA20SOG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음5,004
6116LA20SOGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음4,626
6116LA20SOGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음3,960
6116LA20TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음2,592

5962-8855202XA

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음8,658

5962-8855204XA

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CerDip

재고 있음4,716

5962-9232404MXA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음6,768

5962-9232404MYA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-LCC
공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)

재고 있음2,610

5962-9232406MYA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-LCC
공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)

재고 있음7,938

5962-9459901MXA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음8,622

5962-9459903MXA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음8,946

5962-9459903MYA

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28LCC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-LCC
공급자 장치 패키지: 28-LCC (13.97x8.89)

재고 있음8,478

5962F1120101QXA

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음7,938

5962F1120102QXA

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음5,724

5962F1120201QXA

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음7,830

5962F1120202QXA

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음2,808

5962F1123501QXA

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 36CERPAK

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-CFlatPack
공급자 장치 패키지: 36-Ceramic FlatPack

재고 있음2,754

602-00001

Parallax

기억

IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: 900ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음3,510

602-00005

Parallax

기억

IC EEPROM 2K 8DIP

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음2,106

602-00013

Parallax

기억

IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8DIP

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 128Kb (16K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: 900ns
전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음6,642

602-00032

Parallax

기억

IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8DIP

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: 900ns
전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-DIP

재고 있음2,088

602-10001

Parallax

기억

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: 550ns
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음3,672

602-20011

Parallax

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 2MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,382

602-20012

Parallax

기억

IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 128Kb (16K x 8)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: 400ns
전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,056

6116LA120DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음8,604

6116LA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음8,064

6116LA150DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음98

6116LA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음6,750

6116LA15SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,178

6116LA20SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,430

6116LA20SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음5,004

6116LA20SOGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음4,626

6116LA20SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음3,960

6116LA20TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음2,592

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