메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
6116LA20TPG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음3,132
6116LA20TPGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음7,902
6116LA25DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음6,588
6116LA25SOG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음4,014
6116LA25SOG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음8,280
6116LA25SOGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음4,950
6116LA25SOGI8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,286
6116LA25TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음6,390
6116LA25TPG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음2,592
6116LA35DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음6,696
6116LA35TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음7,213
6116LA45DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음5,274
6116LA45TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음45
6116LA55DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음8,370
6116LA55TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음2,790
6116LA70DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음702
6116LA70TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음7,704
6116LA90DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음15,132
6116LA90TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음5,454
6116SA120DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음11,388
6116SA120TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음7,830
6116SA150DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음2,934
6116SA150TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음2,631
6116SA15SOG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음7,506
6116SA15SOG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음5,580
6116SA15TPG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 15ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음16,836
6116SA20DB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음4,932
6116SA20SOG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,142
6116SA20SOG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,052
6116SA20TDB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-CDIP	재고 있음5,184

6116LA20TPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음3,132

6116LA20TPGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음7,902

6116LA25DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음6,588

6116LA25SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음4,014

6116LA25SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음8,280

6116LA25SOGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음4,950

6116LA25SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,286

6116LA25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음6,390

6116LA25TPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음2,592

6116LA35DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음6,696

6116LA35TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음7,213

6116LA45DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음5,274

6116LA45TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음45

6116LA55DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음8,370

6116LA55TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음2,790

6116LA70DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음702

6116LA70TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음7,704

6116LA90DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음15,132

6116LA90TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음5,454

6116SA120DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음11,388

6116SA120TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음7,830

6116SA150DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음2,934

6116SA150TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음2,631

6116SA15SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음7,506

6116SA15SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음5,580

6116SA15TPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 15ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음16,836

6116SA20DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음4,932

6116SA20SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,142

6116SA20SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,052

6116SA20TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-CDIP

재고 있음5,184

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