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메모리 IC

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부품 번호
설명
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6116SA20TPG
6116SA20TPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음2,574
6116SA20TPGI
6116SA20TPGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음6,624
6116SA25SOG
6116SA25SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음6,408
6116SA25SOG8
6116SA25SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음2,484
6116SA25SOGI
6116SA25SOGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음5,922
6116SA25SOGI8
6116SA25SOGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음6,696
6116SA25TDB
6116SA25TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음68
6116SA25TPG
6116SA25TPG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음5,724
6116SA25TPGI
6116SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음7,758
6116SA35SOG
6116SA35SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음5,904
6116SA35SOG8
6116SA35SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음5,094
6116SA35TDB
6116SA35TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음3,672
6116SA45DB
6116SA45DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음5,490
6116SA45TDB
6116SA45TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음8,676
6116SA55DB
6116SA55DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음3,204
6116SA55TDB
6116SA55TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음8,496
6116SA70DB
6116SA70DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음8,010
6116SA70TDB
6116SA70TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음6,318
6116SA90DB
6116SA90DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음3,544
6116SA90TDB
6116SA90TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-CDIP
재고 있음6,192
625432-0030 03
625432-0030 03

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,310
7005L15J
7005L15J

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)
재고 있음8,082
7005L15J8
7005L15J8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)
재고 있음7,992
7005L15JG
7005L15JG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)
재고 있음5,472
7005L15JG8
7005L15JG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 68-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 68-PLCC (24.21x24.21)
재고 있음5,688
7005L15PF
7005L15PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)
재고 있음6,750
7005L15PF8
7005L15PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)
재고 있음5,274
7005L15PFG
7005L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)
재고 있음2,610
7005L15PFG8
7005L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)
재고 있음2,610
7005L15PFI
7005L15PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 15ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (14x14)
재고 있음4,320