트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
1014-6A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 7.5dB 전력-최대: 19W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LV 공급자 장치 패키지: 55LV	재고 있음4,590
1015MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB ~ 11dB 전력-최대: 50W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW 공급자 장치 패키지: 55FW	재고 있음6,354
1035MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB ~ 10.5dB 전력-최대: 125W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW-1 공급자 장치 패키지: 55FW-1	재고 있음4,644
10502 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 55SM 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 1458W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 작동 온도: 230°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55SM 공급자 장치 패키지: 55SM	재고 있음7,686
1075MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB ~ 8.5dB 전력-최대: 250W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW-1 공급자 장치 패키지: 55FW-1	재고 있음6,714
1090MP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.08dB ~ 8.5dB 전력-최대: 250W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55FW-1 공급자 장치 패키지: 55FW-1	재고 있음7,344
10A015 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V 주파수-전환: 2.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9dB ~ 9.5dB 전력-최대: 6W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음4,842
10A030 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V 주파수-전환: 2.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.8dB ~ 8.5dB 전력-최대: 13W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음6,426
10A060 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V 주파수-전환: 1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB ~ 8.5dB 전력-최대: 21W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: 55FT 공급자 장치 패키지: 55FT	재고 있음3,222
1214-110M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.4dB 전력-최대: 270W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음7,470
1214-150L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.15dB ~ 8.7dB 전력-최대: 320W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST-1 공급자 장치 패키지: 55ST-1	재고 있음3,096
1214-220M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.4dB 전력-최대: 700W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음7,884
1214-30 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 88W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음4,914
1214-300 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 88W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55KT 공급자 장치 패키지: 55KT	재고 있음5,616
1214-300M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 88W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음7,074
1214-32L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.8dB ~ 8.9dB 전력-최대: 125W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW-1 공급자 장치 패키지: 55AW-1	재고 있음8,028
1214-370M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.7dB ~ 9dB 전력-최대: 600W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55ST 공급자 장치 패키지: 55ST	재고 있음2,754
1214-55 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 175W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음4,068
1517-110M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V 주파수-전환: 1.48GHz ~ 1.65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.3dB ~ 8.6dB 전력-최대: 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW-1 공급자 장치 패키지: 55AW-1	재고 있음6,498
1517-20M Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V 주파수-전환: 1.48GHz ~ 1.65GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7.6dB ~ 9.3dB 전력-최대: 175W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LV-1 공급자 장치 패키지: 55LV-1	재고 있음2,178
15GN01CA-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음5,544
15GN01MA-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음3,420
15GN03CA-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz 이득: 13dB @ 0.4GHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음24,696
15GN03FA-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음6,642
15GN03MA-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz 이득: 13dB @ 0.4GHz 전력-최대: 400mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCP	재고 있음22,272
2001 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 9.5dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음8,082
2003 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 12W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT-1 공급자 장치 패키지: 55BT-1	재고 있음6,786
2223-1.7 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,952
2224-12LP Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,016
2224-6L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 2.2GHz ~ 2.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 22W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LV 공급자 장치 패키지: 55LV	재고 있음6,066

1014-6A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 7.5dB
전력-최대: 19W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LV
공급자 장치 패키지: 55LV

재고 있음4,590

1015MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB ~ 11dB
전력-최대: 50W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW
공급자 장치 패키지: 55FW

재고 있음6,354

1035MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB ~ 10.5dB
전력-최대: 125W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW-1
공급자 장치 패키지: 55FW-1

재고 있음4,644

10502

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 55SM

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 1458W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
작동 온도: 230°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55SM
공급자 장치 패키지: 55SM

재고 있음7,686

1075MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB ~ 8.5dB
전력-최대: 250W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW-1
공급자 장치 패키지: 55FW-1

재고 있음6,714

1090MP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.025GHz ~ 1.15GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.08dB ~ 8.5dB
전력-최대: 250W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55FW-1
공급자 장치 패키지: 55FW-1

재고 있음7,344

10A015

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V
주파수-전환: 2.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9dB ~ 9.5dB
전력-최대: 6W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음4,842

10A030

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V
주파수-전환: 2.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.8dB ~ 8.5dB
전력-최대: 13W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음6,426

10A060

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 24V
주파수-전환: 1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB ~ 8.5dB
전력-최대: 21W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: 55FT
공급자 장치 패키지: 55FT

재고 있음3,222

1214-110M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.4dB
전력-최대: 270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음7,470

1214-150L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.15dB ~ 8.7dB
전력-최대: 320W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST-1
공급자 장치 패키지: 55ST-1

재고 있음3,096

1214-220M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.4dB
전력-최대: 700W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음7,884

1214-30

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 88W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음4,914

1214-300

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 88W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55KT
공급자 장치 패키지: 55KT

재고 있음5,616

1214-300M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 88W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음7,074

1214-32L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.8dB ~ 8.9dB
전력-최대: 125W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW-1
공급자 장치 패키지: 55AW-1

재고 있음8,028

1214-370M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.7dB ~ 9dB
전력-최대: 600W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55ST
공급자 장치 패키지: 55ST

재고 있음2,754

1214-55

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 1.2GHz ~ 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 175W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음4,068

1517-110M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
주파수-전환: 1.48GHz ~ 1.65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.3dB ~ 8.6dB
전력-최대: 350W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW-1
공급자 장치 패키지: 55AW-1

재고 있음6,498

1517-20M

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 65V
주파수-전환: 1.48GHz ~ 1.65GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7.6dB ~ 9.3dB
전력-최대: 175W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LV-1
공급자 장치 패키지: 55LV-1

재고 있음2,178

15GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음5,544

15GN01MA-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 8V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음3,420

15GN03CA-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz
이득: 13dB @ 0.4GHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음24,696

15GN03FA-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음6,642

15GN03MA-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 1.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz
이득: 13dB @ 0.4GHz
전력-최대: 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCP

재고 있음22,272

2001

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 9.5dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250mA
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음8,082

2003

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 12W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT-1
공급자 장치 패키지: 55BT-1

재고 있음6,786

2223-1.7

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,952

2224-12LP

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,016

2224-6L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 2.2GHz ~ 2.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 22W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LV
공급자 장치 패키지: 55LV

재고 있음6,066

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