트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2224-6P Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,434
2225-4L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 2.2GHz ~ 2.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB 전력-최대: 10W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55LV 공급자 장치 패키지: 55LV	재고 있음4,734
2301 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V 주파수-전환: 2.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 5.6W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음8,244
2304 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V 주파수-전환: 2.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 10.2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음14,108
2307 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 42V 주파수-전환: 2.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8dB 전력-최대: 20.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음6,012
2324-20 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 2.3GHz ~ 2.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB 전력-최대: 58W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 160mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 작동 온도: 200°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55AW 공급자 장치 패키지: 55AW	재고 있음4,644
23A005 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V 주파수-전환: 4.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 9.5dB 전력-최대: 3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음4,374
23A008 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V 주파수-전환: 3.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.5dB ~ 9.5dB 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음4,896
23A025 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V 주파수-전환: 3.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 6dB ~ 6.3dB 전력-최대: 9W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 420mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55BT 공급자 장치 패키지: 55BT	재고 있음2,700
2731-200P Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 3.1GHZ MODULE 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: 2.7GHz ~ 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 8.7dB 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,598
2A5 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V 주파수-전환: 3.4GHz ~ 3.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 9dB 전력-최대: 5.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3mA 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: 55ET 공급자 장치 패키지: 55ET	재고 있음2,844
2A8 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 21V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 7dB ~ 9dB 전력-최대: 5.3W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 55EU 공급자 장치 패키지: 55EU	재고 있음5,076
2N2857 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음4,140
2N2857 MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF DIE RF TRANS NPN 15V 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,266
2N2857 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: - 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음23,202
2N2857UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz 이득: 21dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음7,776
2N3663 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz 이득: 1.5dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,346
2N3866 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,894
2N3866A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음8,046
2N4427 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB @ 175MHz 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음5,760
2N4427 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 500MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 10dB 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음22,332
2N4957 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음651
2N4957UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz 이득: 25dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음7,326
2N5031 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V 주파수-전환: 400MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB @ 400MHz 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음6,282
2N5109 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: 12dB 전력-최대: 2.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음3,960
2N5109 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V 주파수-전환: 1.2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz 이득: - 전력-최대: 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음25,038
2N5179 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 200MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 20dB 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음7,254
2N5179 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 2GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz 이득: 15dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음8,232
2N5770 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: 15dB 전력-최대: 350mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,902
2N5770 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz 이득: - 전력-최대: 625mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음37,794

2224-6P

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,434

2225-4L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 2.2GHz ~ 2.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB
전력-최대: 10W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55LV
공급자 장치 패키지: 55LV

재고 있음4,734

2301

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
주파수-전환: 2.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 5.6W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음8,244

2304

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
주파수-전환: 2.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 10.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음14,108

2307

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 42V
주파수-전환: 2.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8dB
전력-최대: 20.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음6,012

2324-20

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 2.3GHz ~ 2.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB
전력-최대: 58W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 160mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
작동 온도: 200°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55AW
공급자 장치 패키지: 55AW

재고 있음4,644

23A005

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V
주파수-전환: 4.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 9.5dB
전력-최대: 3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음4,374

23A008

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V
주파수-전환: 3.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.5dB ~ 9.5dB
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음4,896

23A025

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V
주파수-전환: 3.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 6dB ~ 6.3dB
전력-최대: 9W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 420mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55BT
공급자 장치 패키지: 55BT

재고 있음2,700

2731-200P

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 3.1GHZ MODULE

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: 2.7GHz ~ 3.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 8.7dB
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,598

2A5

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 22V
주파수-전환: 3.4GHz ~ 3.7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 9dB
전력-최대: 5.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3mA
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: 55ET
공급자 장치 패키지: 55ET

재고 있음2,844

2A8

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 21V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 7dB ~ 9dB
전력-최대: 5.3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 55EU
공급자 장치 패키지: 55EU

재고 있음5,076

2N2857

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음4,140

2N2857

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

DIE RF TRANS NPN 15V

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,266

2N2857

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: -
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음23,202

2N2857UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
이득: 21dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음7,776

2N3663

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2.1GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz
이득: 1.5dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,346

2N3866

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,894

2N3866A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음8,046

2N4427

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB @ 175MHz
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음5,760

2N4427

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 500MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 10dB
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음22,332

2N4957

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음651

2N4957UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
이득: 25dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음7,326

2N5031

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
주파수-전환: 400MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB @ 400MHz
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음6,282

2N5109

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: 12dB
전력-최대: 2.5W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음3,960

2N5109

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
주파수-전환: 1.2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
이득: -
전력-최대: 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음25,038

2N5179

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 200MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 20dB
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음7,254

2N5179

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 2GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
이득: 15dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음8,232

2N5770

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: 15dB
전력-최대: 350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,902

2N5770

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
이득: -
전력-최대: 625mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음37,794

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message