트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSM35GD120DN2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음524
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,750
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 35A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V 입력: - NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,598
BSM35GP120GBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,748
BSM400GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 625A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,056
BSM400GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 2700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,136
BSM400GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 3120W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,382
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,574
BSM50GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 115A 전력-최대: 460W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,272
BSM50GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,812
BSM50GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 72A 500W MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,542
BSM50GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,232
BSM50GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 84µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,526
BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,816
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,376
BSM50GD120DN2G Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,121
BSM50GD170DLBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,016
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,228
BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,262
BSM50GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,542
BSM50GP60GBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,400
BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,248
BSM75GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1.4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,852
BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 235W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,628
BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,410
BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,064
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 110A 625W MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,824
BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 100A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,622
BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 125A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 92µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,746
BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 103A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,344

BSM35GD120DN2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BSM35GD120DN2BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음524

BSM35GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,750

BSM35GP120BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 35A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V
입력: -
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,598

BSM35GP120GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,748

BSM400GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 625A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,056

BSM400GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 2700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,136

BSM400GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 3120W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,382

BSM50GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,574

BSM50GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 115A
전력-최대: 460W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,272

BSM50GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,812

BSM50GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 72A 500W MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,542

BSM50GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,232

BSM50GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 84µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,526

BSM50GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,816

BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,376

BSM50GD120DN2G

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,121

BSM50GD170DLBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,016

BSM50GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,228

BSM50GP120BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,262

BSM50GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,542

BSM50GP60GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,400

BSM50GX120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,248

BSM75GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1.4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,852

BSM75GAR120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 235W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,628

BSM75GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,410

BSM75GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,064

BSM75GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 110A 625W MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,824

BSM75GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 100A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,622

BSM75GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 125A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 92µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,746

BSM75GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 103A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,344

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