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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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FB20R06W1E3B11HOMA1
FB20R06W1E3B11HOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 20A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 29A
  • 전력-최대: 94W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,912
FB20R06W1E3BOMA1
FB20R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 20A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 29A
  • 전력-최대: 94W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,402
FB30R06W1E3BOMA1
FB30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
  • 전력-최대: 115W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,236
FD1000R17IE4BOSA2
FD1000R17IE4BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,030
FD1000R17IE4DB2BOSA1
FD1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME3-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePACK™3
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1390A
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,268
FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual Brake Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
  • 전력-최대: 11500W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,454
FD1000R33HL3KBPSA1
FD1000R33HL3KBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
  • 전력-최대: 11500W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,032
FD1200R17HP4KB2BOSA2
FD1200R17HP4KB2BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,384
FD1200R17KE3KB2NOSA1
FD1200R17KE3KB2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,726
FD1200R17KE3KNOSA1
FD1200R17KE3KNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHM130-2

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Brake Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1600A
  • 전력-최대: 5950W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 110nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,312
FD1400R12IP4DBOSA1
FD1400R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 1400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1400A
  • 전력-최대: 7700W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 82nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,140
FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 150A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: C
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 790W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,356
FD16001200R17HP4B2BOSA2
FD16001200R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Brake Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 10500W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 130nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,364
FD16001200R17HP4KB2BOSA1
FD16001200R17HP4KB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IHV IHM T XHP 33-65K

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Brake Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1600A
  • 전력-최대: 1050W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 130nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,658
FD1600/1200R17KF6C_B2
FD1600/1200R17KF6C_B2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,586
FD200R12KE3HOSA1
FD200R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 1050W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,852
FD200R12KE3PHOSA1
FD200R12KE3PHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,534
FD200R12PT4B6BOSA1
FD200R12PT4B6BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
  • 전력-최대: 1100W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 15µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,812
FD250R65KE3KNOSA1
FD250R65KE3KNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 6500V 250A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
  • 전력-최대: 4800W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 250A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 69nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -50°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,266
FD300R06KE3HOSA1
FD300R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 940W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,690
FD300R07PE4B6BOSA1
FD300R07PE4B6BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
  • 전력-최대: 940W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,048
FD300R12KE3HOSA1
FD300R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
  • 전력-최대: 1470W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,814
FD300R12KS4B5HOSA1
FD300R12KS4B5HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
  • 전력-최대: 1950W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,514
FD300R12KS4HOSA1
FD300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
  • 전력-최대: 1950W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,250
FD300R17KE4PHOSA1
FD300R17KE4PHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 300A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: C
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: AG-62MM-1
재고 있음8,334
FD400R07PE4RB6BOSA1
FD400R07PE4RB6BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 460A
  • 전력-최대: 1150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 20µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,894
FD400R12KE3B5HOSA1
FD400R12KE3B5HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
  • 전력-최대: 2000W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,730
FD400R12KE3HOSA1
FD400R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
  • 전력-최대: 2000W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,064
FD400R33KF2CKNOSA1
FD400R33KF2CKNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 660A
  • 전력-최대: 4800W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 50nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,840
FD400R33KF2CNOSA1
FD400R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 660A
  • 전력-최대: 4800W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 50nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,978