트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DDB6U84N16RRBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1600V 60A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음197
DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 1000A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 6250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,448
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 1000A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 6250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,172
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPACK™ IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,662
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER EASY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPACK™ IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,452
DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 800V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 180W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,912
DF1400R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 1400A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1400A 전력-최대: 7700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 82nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,182
DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 790W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,290
DF160R12W2H3_B11 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,942
DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPACK™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,766
DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 1040W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,576
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 15µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,336
DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 375W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,812
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPACK™ IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,268
DF200R12W1H3FB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,316
DF300R07PE4B6BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 650V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,628
DF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 650V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A 전력-최대: 1470W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,194
DF400R07PE4R_B6 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT DF400R07PE4RB6BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: NPT 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,778
DF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 400A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A 전력-최대: 2000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,564
DF450R12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,388
DF450R17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,460
DF600R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600A PRIME2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 3350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,436
DF600R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 600A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,688
DF600R12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 LOW POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
DF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 650A PRIME2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: PrimePack™2 IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 930A 전력-최대: 4150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,580
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EasyPACK™ 1B IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,904
DF80R12W2H3_B11 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 160A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,236
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoPACK™2 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,706
DF900R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,046
DF900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,964

DDB6U84N16RRBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1600V 60A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음197

DF1000R17IE4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1000A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 6250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,448

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1000A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 6250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,172

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPACK™
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,662

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER EASY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPACK™
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,452

DF120R12W2H3B27BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 800V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 180W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,912

DF1400R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 1400A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1400A
전력-최대: 7700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 82nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,182

DF150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 790W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,290

DF160R12W2H3_B11

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,942

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPACK™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,766

DF200R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 1040W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,576

DF200R12PT4B6BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 15µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,336

DF200R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 375W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,812

DF200R12W1H3FB11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPACK™
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,268

DF200R12W1H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,316

DF300R07PE4B6BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,628

DF300R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
전력-최대: 1470W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,194

DF400R07PE4R_B6

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT DF400R07PE4RB6BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: NPT
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,778

DF400R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 400A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
전력-최대: 2000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,564

DF450R12N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,388

DF450R17N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,460

DF600R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600A PRIME2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 3350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,436

DF600R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 600A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,688

DF600R12N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

LOW POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

DF650R17IE4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 650A PRIME2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: PrimePack™2
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 930A
전력-최대: 4150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,580

DF75R12W1H4FB11BOMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EasyPACK™ 1B
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,904

DF80R12W2H3_B11

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 160A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,236

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoPACK™2
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,706

DF900R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,046

DF900R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

PRIMPACK IGBT MOD VCE 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,964

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