트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CM800HA-24H Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 4800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 180nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,034
CM800HA-28H Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1400V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 4800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 172nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,100
CM900DU-24NF Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 2550W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,960
CM900DUC-24NF Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD MPD DUAL 900A 1200V 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 5900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,048
CP10TD1-24A Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 DIP-CIB MOD 1200V 10A 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전력-최대: 96W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.04nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 26-DIP Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,538
CP15TD1-24A Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 DIP-CIB MOD 1200V 15A 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전력-최대: 113W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 10V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 26-DIP Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,690
CP20TD1-12A Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 DIP-CIB MOD 600V 20A 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 96W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.57nF @ 10V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 26-DIP Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,704
CP25TD1-24A Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 DIP-CIB MOD 1200V 25A 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 138W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.94nF @ 10V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 26-DIP Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,122
CP30TD1-12A Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 DIP-CIB MOD 600V 30A 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 114W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.36nF @ 10V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 26-DIP Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,110
CPV362M4F Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8.8A 전력-최대: 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 8.8A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.34nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음5,778
CPV362M4K Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A 전력-최대: 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.45nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음4,248
CPV362M4U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 7.2A 전력-최대: 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.53nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음8,118
CPV363M4F Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전력-최대: 36W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음5,130
CPV363M4K Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A 전력-최대: 36W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음53
CPV363M4U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전력-최대: 36W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 13A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음6,966
CPV364M4F Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A 전력-최대: 63W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 27A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음209
CPV364M4U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 63W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.84V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음3,508
DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE 1200A IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 1200000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,222
DD800S45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1800V IHV130-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -50°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,258
DDB2U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 800V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 3 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 83.5W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,794
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,838
DDB6U100N16RRBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoBRIDGE™ IGBT 유형: - 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,766
DDB6U134N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT DDB6U134N16RRB11BPSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,986
DDB6U134N16RRBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1600V 134A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 70A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,992
DDB6U180N16RR Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT DDB6U180N16RRBPSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Brake Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,658
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 3 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,016
DDB6U180N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,190
DDB6U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 26A 전력-최대: 83.5W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,870
DDB6U75N16W1RB11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A 전력-최대: 335W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,544
DDB6U75N16W1RBOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A 전력-최대: 335W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,428

CM800HA-24H

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 4800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 180nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,034

CM800HA-28H

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1400V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 4800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 172nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,100

CM900DU-24NF

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD DUAL 1200V 900A NF MEGA

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 2550W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,960

CM900DUC-24NF

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD MPD DUAL 900A 1200V

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 5900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 140nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,048

CP10TD1-24A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

DIP-CIB MOD 1200V 10A

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전력-최대: 96W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.04nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 26-DIP Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,538

CP15TD1-24A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

DIP-CIB MOD 1200V 15A

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전력-최대: 113W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 10V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 26-DIP Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,690

CP20TD1-12A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

DIP-CIB MOD 600V 20A

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 96W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.57nF @ 10V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 26-DIP Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,704

CP25TD1-24A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

DIP-CIB MOD 1200V 25A

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 138W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.94nF @ 10V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 26-DIP Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,122

CP30TD1-12A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

DIP-CIB MOD 600V 30A

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 114W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.36nF @ 10V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -20°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 26-DIP Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,110

CPV362M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8.8A
전력-최대: 23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 8.8A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.34nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음5,778

CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A
전력-최대: 23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.45nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음4,248

CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 7.2A
전력-최대: 23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7.2A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.53nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음8,118

CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전력-최대: 36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음5,130

CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
전력-최대: 36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음53

CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전력-최대: 36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 13A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음6,966

CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
전력-최대: 63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 27A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음209

CPV364M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.84V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음3,508

DD1200S12H4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE 1200A IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 1200000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,222

DD800S45KL3B5NPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1800V IHV130-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -50°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,258

DDB2U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 800V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 3 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 83.5W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,794

DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,838

DDB6U100N16RRBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoBRIDGE™
IGBT 유형: -
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,766

DDB6U134N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT DDB6U134N16RRB11BPSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,986

DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1600V 134A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 70A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,992

DDB6U180N16RR

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT DDB6U180N16RRBPSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Brake Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,658

DDB6U180N16RRB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 3 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,016

DDB6U180N16RRB37BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,190

DDB6U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 26A
전력-최대: 83.5W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 880pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,870

DDB6U75N16W1RB11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
전력-최대: 335W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,544

DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
전력-최대: 335W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,428

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message