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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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FD401R17KF6C_B2
FD401R17KF6C_B2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 400A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 650A
  • 전력-최대: 3150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 27nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,182
FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 450A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: C
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: AG-62MM-1
재고 있음6,138
FD500R65KE3KNOSA1
FD500R65KE3KNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 6500V 500A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
  • 전력-최대: 9600W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 135nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -50°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,688
FD600R06ME3_B11_S2
FD600R06ME3_B11_S2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
  • 전력-최대: 2250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 60nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음8,982
FD600R06ME3S2BOSA1
FD600R06ME3S2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
  • 전력-최대: 2250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 60nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,068
FD600R12KF4NOSA1
FD600R12KF4NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,048
FD600R17KE3B2NOSA1
FD600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 4300W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,156
FD600R17KE3KB5NOSA1
FD600R17KE3KB5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 600A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 4300W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,690
FD650R17IE4BOSA2
FD650R17IE4BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME2-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePack™2
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 930A
  • 전력-최대: 4150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,428
FD800R17HP4KB2BOSA2
FD800R17HP4KB2BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 800A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
  • 전력-최대: 5200W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 800A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,862
FD800R17KE3B2NOSA1
FD800R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 800A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,894
FD800R17KF6CB2NOSA1
FD800R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 800A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,960
FD800R33KF2CKNOSA1
FD800R33KF2CKNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 800A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 9600W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,794
FD800R33KF2CNOSA1
FD800R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 800A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 9600W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,508
FD800R33KL2CKB5NOSA1
FD800R33KL2CKB5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3300V IHV 190MM

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Brake Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A
  • 전력-최대: 9800W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,356
FD800R45KL3KB5NPSA1
FD800R45KL3KB5NPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHV190-4

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
  • 전력-최대: 9000W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 800A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 185nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -50°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,940
FD900R12IP4DBOSA1
FD900R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
  • 전력-최대: 5100W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,754
FD900R12IP4DVBOSA1
FD900R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 900A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
  • 전력-최대: 5100W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,662
FD-DF80R12W1H3_B52
FD-DF80R12W1H3_B52

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 215W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 235nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,806
FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,068
FF1000R17IE4DB2BOSA1
FF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,318
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2
FF1000R17IE4DB2S4BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1700V PRIME3-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePACK™3
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1390A
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: AG-PRIME3-1
재고 있음6,480
FF1000R17IE4DPB2BOSA1
FF1000R17IE4DPB2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,636
FF1000R17IE4PBOSA1
FF1000R17IE4PBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
  • 전력-최대: 1000000W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,564
FF1000R17IE4S4BOSA2
FF1000R17IE4S4BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1700V PRIME3-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePACK™3
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1390A
  • 전력-최대: 6250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 81pF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: AG-PRIME3-1
재고 있음5,652
FF100R12KS4HOSA1
FF100R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 780W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 650nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음7,146
FF100R12RT4HOSA1
FF100R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 555W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 630nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,130
FF1200R12IE5BPSA1
FF1200R12IE5BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME2-5

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePack™2
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2400A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 65.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음6,480
FF1200R12IE5PBPSA1
FF1200R12IE5PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT PRIME2-5

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: PrimePack™2
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2400A
  • 전력-최대: 20mW
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 65.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,582
FF1200R12KE3NOSA1
FF1200R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 1200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: 5000W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 86nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,870