트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FF200R12KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: C IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,670
FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,934
FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 275A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,496
FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 275A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,474
FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,722
FF200R12KT3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,832
FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: C IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,100
FF200R12MT4BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,184
FF200R17KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: C IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 310A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,074
FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 310A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,170
FF200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 330A 전력-최대: 2200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,282
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 325A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,194
FF225R12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 225A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,326
FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 225A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A 전력-최대: 1050W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,754
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,164
FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MEDIUM POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,060
FF225R12MS4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 225A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 275A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,326
FF225R17ME3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,478
FF225R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 225A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,176
FF225R17ME4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 225A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,282
FF225R17ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,456
FF225R17ME4PBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,668
FF300R06KE3B2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,366
FF300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음73
FF300R07KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음1,029
FF300R07ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 390A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,746
FF300R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,844
FF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,410
FF300R12KE4B2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: C IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 460A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,554

FF200R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: C
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,670

FF200R12KE4PHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,934

FF200R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 275A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,496

FF200R12KS4PHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 275A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,474

FF200R12KT3EHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,722

FF200R12KT3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,832

FF200R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: C
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,100

FF200R12MT4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,184

FF200R17KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: C
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 310A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,074

FF200R17KE3S4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

FF200R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 310A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,170

FF200R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 330A
전력-최대: 2200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,282

FF225R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 325A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,194

FF225R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,326

FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
전력-최대: 1050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,754

FF225R12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,164

FF225R12ME4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MEDIUM POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,060

FF225R12MS4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 275A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,326

FF225R17ME3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,478

FF225R17ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,176

FF225R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 225A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,282

FF225R17ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,456

FF225R17ME4PBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,668

FF300R06KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,366

FF300R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음73

FF300R07KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음1,029

FF300R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 390A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,746

FF300R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,844

FF300R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,410

FF300R12KE4B2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: C
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 460A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,554

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