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트랜지스터

기록 64,903
페이지 2021/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
VII50-06P1
VII50-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 42.5A
  • 전력-최대: 130W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 600µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,968
VII50-12P1
VII50-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 49A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,950
VII75-06P1
VII75-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 800µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음5,544
VII75-12P1
VII75-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 92A
  • 전력-최대: 379W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 3.7mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음5,598
VIO100-06P1

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
  • 전력-최대: 294W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1.4mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음2,196
VIO125-12P1

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 138A
  • 전력-최대: 568W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 125A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음7,902
VIO130-06P1

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
  • 전력-최대: 379W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 130A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1.2mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,266
VIO160-12P1

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 169A
  • 전력-최대: 694W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 160A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 6mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음3,400
VIO25-06P1
VIO25-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 24.5A
  • 전력-최대: 82W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 600µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음6,606
VIO25-12P1
VIO25-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
  • 전력-최대: 130W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 900µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음8,118
VIO50-06P1
VIO50-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 42.5A
  • 전력-최대: 130W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 600µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,752
VIO50-12P1
VIO50-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 49A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,698
VIO75-06P1
VIO75-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 800µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,590
VIO75-12P1
VIO75-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 92A
  • 전력-최대: 379W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 3.7mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음3,402
VKI50-06P1
VKI50-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 42.5A
  • 전력-최대: 130W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 600µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음4,482
VKI50-12P1
VKI50-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V ECO-PAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 49A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음2,556
VKI75-06P1
VKI75-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
  • 전력-최대: 208W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 800µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: ECO-PAC2
  • 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2
재고 있음3,436
VS-100MT060WDF
VS-100MT060WDF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 121A 462W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
  • 전력-최대: 462W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.29V @ 15V, 60A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음3,546
VS-100MT060WSP
VS-100MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 107A
  • 전력-최대: 403W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.49V @ 15V, 60A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V
  • 입력: Single Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음8,118
VS-150MT060WDF
VS-150MT060WDF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

DIODE GEN PURP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Buck Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 138A
  • 전력-최대: 543W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.48V @ 15V, 80A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: 12-MTP Pressfit
재고 있음2,808
VS-150MT060WDF-P
VS-150MT060WDF-P

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - MTP SWITCH

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Dual Buck Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 138A
  • 전력-최대: 543W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.48V @ 15V, 80A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: 12-MTP Pressfit
재고 있음5,814
VS-20MT050XC
VS-20MT050XC

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 20A 500V MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전력-최대: -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: -
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,348
VS-20MT120UFAPBF
VS-20MT120UFAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 20A 240W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전력-최대: 240W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.79nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음8,226
VS-20MT120UFP
VS-20MT120UFP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 240W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 240W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.79nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음2,556
VS-25MT060WFAPBF
VS-25MT060WFAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 69A 195W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
  • 전력-최대: 195W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.25V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.42nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음5,076
VS-40MT120UHAPBF
VS-40MT120UHAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 80A 463W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전력-최대: 463W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.91V @ 15V, 80A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.28nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음7,920
VS-40MT120UHTAPBF
VS-40MT120UHTAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 80A 463W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전력-최대: 463W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.91V @ 15V, 80A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.28nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음7,488
VS-50MT060WHTAPBF
VS-50MT060WHTAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 114A 658W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 114A
  • 전력-최대: 658W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 400µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.1nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음6,216
VS-70MT060WHTAPBF
VS-70MT060WHTAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 347W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 347W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 140A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 700µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음6,480
VS-70MT060WSP
VS-70MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 96A 378W MTP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
  • 전력-최대: 378W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 30V
  • 입력: Single Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-MTP Module
  • 공급자 장치 패키지: MTP
재고 있음3,490