트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 125A 전력-최대: 447W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,552
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.96nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,560
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 658W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음4,806
VS-GB100NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,740
VS-GB100TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음5,058
VS-GB100TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 1136W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.45nF @ 20V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음6,066
VS-GB100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 650W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음2,718
VS-GB100TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 735W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음5,886
VS-GB100TS120NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,886
VS-GB100TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 108A 전력-최대: 390W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음8,658
VS-GB100YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 127A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 80µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: ECONO3 4PACK	재고 있음2,142
VS-GB150LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1389W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음3,006
VS-GB150TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1008W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음6,822
VS-GB150TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 1147W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.7nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,200
VS-GB150TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 138A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음2,124
VS-GB150YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 182A 전력-최대: 892W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 120µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: ECONO3 4PACK	재고 있음7,308
VS-GB15XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 30A 187W MTP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 187W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 12-MTP Module 공급자 장치 패키지: MTP	재고 있음5,022
VS-GB200LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 100nA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음4,104
VS-GB200NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음3,816
VS-GB200TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 360A 전력-최대: 1136W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음2,646
VS-GB200TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 330A 전력-최대: 1316W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.9nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음2,250
VS-GB200TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 209A 전력-최대: 781W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.84V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음3,546
VS-GB300AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 620A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음5,670
VS-GB300LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1645W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음2,412
VS-GB300NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1645W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음4,608
VS-GB300TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1645W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,650
VS-GB300TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 2119W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음2,286
VS-GB400AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 650A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음2,466
VS-GB400AH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 2841W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음6,516
VS-GB400TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 2604W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,992

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Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 125A
전력-최대: 447W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,552

VS-GB100LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.96nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,560

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음4,806

VS-GB100NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,740

VS-GB100TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음5,058

VS-GB100TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.45nF @ 20V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음6,066

VS-GB100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 650W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음2,718

VS-GB100TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 735W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음5,886

VS-GB100TS120NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,886

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 108A
전력-최대: 390W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음8,658

VS-GB100YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 127A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 80µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: ECONO3 4PACK

재고 있음2,142

VS-GB150LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1389W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음3,006

VS-GB150TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1008W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음6,822

VS-GB150TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 1147W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.7nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,200

VS-GB150TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 138A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음2,124

VS-GB150YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 182A
전력-최대: 892W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 120µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: ECONO3 4PACK

재고 있음7,308

VS-GB15XP120KTPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 30A 187W MTP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 187W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 12-MTP Module
공급자 장치 패키지: MTP

재고 있음5,022

VS-GB200LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음4,104

VS-GB200NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음3,816

VS-GB200TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 360A
전력-최대: 1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음2,646

VS-GB200TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 330A
전력-최대: 1316W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.9nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음2,250

VS-GB200TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 209A
전력-최대: 781W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.84V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음3,546

VS-GB300AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 620A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음5,670

VS-GB300LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1645W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음2,412

VS-GB300NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1645W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음4,608

VS-GB300TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1645W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,650

VS-GB300TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 2119W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음2,286

VS-GB400AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 650A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음2,466

VS-GB400AH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 2841W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음6,516

VS-GB400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 2604W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,992

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