트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
VS-GT100LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전력-최대: 463W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,304
VS-GT100NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전력-최대: 463W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,562
VS-GT100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전력-최대: 652W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.8nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음5,220
VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 417W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.71nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음2,628
VS-GT105LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전력-최대: 463W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 75µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,610
VS-GT105NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전력-최대: 463W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 75µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,020
VS-GT120DA65U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® IGBT 유형: Trench 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 167A 전력-최대: 577W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,400
VS-GT140DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 200A 652W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 652W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,034
VS-GT175DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 288A 전력-최대: 1087W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,178
VS-GT180DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: HEXFRED® IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 281A 전력-최대: 1087W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9350pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,866
VS-GT200TP065N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 221A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 60µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음3,708
VS-GT300FD060N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 379A 1250W DIAP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 379A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 23.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (4 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음4,302
VS-GT300YH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 341A 1042W DIAP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 341A 전력-최대: 1042W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,650
VS-GT400TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 600A 2119W DIAP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 2119W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음5,796
VS-GT400TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 750A 2344W DIAP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750A 전력-최대: 2344W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51.2nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음6,930
VS-GT400TH60N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 530A 1600W DIAP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음5,022
VS-GT50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 405W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.24nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음5,814
VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.03nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음7,902
VS-GT75LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 150A 543W 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음5,850
VS-GT75NP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 446W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.45nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음8,154
VS-GT80DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: HEXFRED® IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 139A 전력-최대: 658W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,204
VWI15-12P1 IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음2,088
VWI20-06P1 IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 19A 전력-최대: 73W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음4,464
VWI35-06P1 IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음8,244
VWI3X20-06P1 IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC1 공급자 장치 패키지: ECO-PAC1	재고 있음7,830
VWI6-12P1 IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전력-최대: 40W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.205nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECO-PAC2 공급자 장치 패키지: ECO-PAC2	재고 있음6,714
63-7000PBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V COPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,092
92-0065 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT STD 600V 60A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,390
92-0235 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 430V 20A 125W TO220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A 전력-최대: 125W 에너지 전환: - 입력 유형: Logic 게이트 차지: 27nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/6µs 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,410
AFGB30T65SQDN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V/30A FS4 IGBT TO263 A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전력-최대: 220W 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: 56nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14.5ns/63.2ns 테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 245ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)	재고 있음3,492

VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전력-최대: 463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,304

VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전력-최대: 463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,562

VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전력-최대: 652W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.8nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음5,220

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 417W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.71nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음2,628

VS-GT105LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전력-최대: 463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,610

VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전력-최대: 463W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,020

VS-GT120DA65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
IGBT 유형: Trench
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 167A
전력-최대: 577W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,400

VS-GT140DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 200A 652W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 652W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,034

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 288A
전력-최대: 1087W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,178

VS-GT180DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: HEXFRED®
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 281A
전력-최대: 1087W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9350pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,866

VS-GT200TP065N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 221A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 60µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음3,708

VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 379A 1250W DIAP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 379A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 23.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음4,302

VS-GT300YH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 341A 1042W DIAP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 341A
전력-최대: 1042W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,650

VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 2119W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음5,796

VS-GT400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 750A 2344W DIAP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750A
전력-최대: 2344W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51.2nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음6,930

VS-GT400TH60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 530A 1600W DIAP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음5,022

VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 405W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.24nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음5,814

VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.03nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음7,902

VS-GT75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 543W

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음5,850

VS-GT75NP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 446W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.45nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음8,154

VS-GT80DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: HEXFRED®
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 139A
전력-최대: 658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,204

VWI15-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음2,088

VWI20-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 19A
전력-최대: 73W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음4,464

VWI35-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음8,244

VWI3X20-06P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC1
공급자 장치 패키지: ECO-PAC1

재고 있음7,830

VWI6-12P1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전력-최대: 40W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.205nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECO-PAC2
공급자 장치 패키지: ECO-PAC2

재고 있음6,714

63-7000PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V COPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,092

92-0065

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT STD 600V 60A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,390

92-0235

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 430V 20A 125W TO220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A
전력-최대: 125W
에너지 전환: -
입력 유형: Logic
게이트 차지: 27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/6µs
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,410

AFGB30T65SQDN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/30A FS4 IGBT TO263 A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전력-최대: 220W
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: 56nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14.5ns/63.2ns
테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 245ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)

재고 있음3,492

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