트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
VS-GB400TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 660A 전력-최대: 2660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음7,794
VS-GB50LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 84A 431W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전력-최대: 431W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,644
VS-GB50LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 446W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음3,526
VS-GB50NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 84A 431W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전력-최대: 431W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,844
VS-GB50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 446W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음5,778
VS-GB50YF120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 66A 330W ECONO 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 66A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK	재고 있음2,700
VS-GB55LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: HEXFRED® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전력-최대: 431W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,490
VS-GB55NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: HEXFRED® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전력-최대: 431W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,320
VS-GB600AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 910A 전력-최대: 3125W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 41nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음3,312
VS-GB70LA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 111A 447W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 111A 전력-최대: 447W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,948
VS-GB70NA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 111A 447W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 111A 전력-최대: 447W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,452
VS-GB75DA120UP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 658W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,964
VS-GB75LA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 109A 전력-최대: 447W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,038
VS-GB75LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 658W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음6,228
VS-GB75NA60UF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 109A 전력-최대: 447W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,974
VS-GB75SA120UP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 658W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,274
VS-GB75TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음2,736
VS-GB75TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 105A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음4,644
VS-GB75YF120N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 480W ECONO 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK	재고 있음3,690
VS-GB75YF120UT Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 480W ECONO 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK	재고 있음3,546
VS-GB90DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 149A 862W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 149A 전력-최대: 862W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,491
VS-GB90DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 147A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,154
VS-GB90SA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 149A 전력-최대: 862W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,474
VS-GP100TS60SFPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT, Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 337A 전력-최대: 781W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음4,572
VS-GP250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 380A 893W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT, Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 380A 전력-최대: 893W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,564
VS-GP300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT, Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A 전력-최대: 1136W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음5,814
VS-GP400TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT, Trench 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 758A 전력-최대: 1563W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음6,570
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 258A 전력-최대: 893W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: HEXFRED® IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 187A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,634
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 184A 577W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 184A 전력-최대: 577W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,742

VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 660A
전력-최대: 2660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음7,794

VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전력-최대: 431W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,644

VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 446W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음3,526

VS-GB50NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전력-최대: 431W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,844

VS-GB50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 446W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음5,778

VS-GB50YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 66A 330W ECONO

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 66A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK

재고 있음2,700

VS-GB55LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: HEXFRED®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전력-최대: 431W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,490

VS-GB55NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: HEXFRED®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전력-최대: 431W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,320

VS-GB600AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 910A
전력-최대: 3125W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 41nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (5)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음3,312

VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 111A
전력-최대: 447W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,948

VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 111A
전력-최대: 447W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,452

VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,964

VS-GB75LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 109A
전력-최대: 447W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,038

VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음6,228

VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 109A
전력-최대: 447W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,974

VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 658W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,274

VS-GB75TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음2,736

VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 105A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음4,644

VS-GB75YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK

재고 있음3,690

VS-GB75YF120UT

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: ECONO2 4PACK

재고 있음3,546

VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 149A
전력-최대: 862W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,491

VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 147A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,154

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 149A
전력-최대: 862W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,474

VS-GP100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT, Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 337A
전력-최대: 781W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음4,572

VS-GP250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 380A 893W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT, Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 380A
전력-최대: 893W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,564

VS-GP300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT, Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
전력-최대: 1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음5,814

VS-GP400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT, Trench
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 758A
전력-최대: 1563W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음6,570

VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 258A
전력-최대: 893W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,536

VS-GT100DA120UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: HEXFRED®
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 187A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,634

VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 184A 577W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 184A
전력-최대: 577W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,742

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