트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AFGB40T65SQDN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V/40A FS4 IGBT TO263 A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 238W 에너지 전환: 858µJ (on), 229µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 76nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.6ns/75.2ns 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 131ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)	재고 있음8,100
AFGHL40T65SPD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 FS3 T TO247 40A 650V AUTO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 267W 에너지 전환: 1.16MJ (on), 270µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 36nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/35ns 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 35ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음9,912
AFGHL50T65SQDC ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 238W 에너지 전환: 131µJ (on), 96µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 94nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.6ns/94.4ns 테스트 조건: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음10,440
AIGW40N65F5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 74A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns 테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음7,020
AIGW40N65H5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 74A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns 테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음6,444
AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1018nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음2,073
AIGW50N65H5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1018nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음6,396
AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전류-수집기 펄스 (Icm): 7.5A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A 전력-최대: 53.6W 에너지 전환: 50µJ (on), 40µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 17.1nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/128ns 테스트 조건: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음8,208
AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 90µJ (on), 150µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 27nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/146ns 테스트 조건: 400V, 4A, 43Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음2,214
AIHD04N60RFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 60µJ (on), 50µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 27nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/116ns 테스트 조건: 400V, 4A, 43Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음2,700
AIHD06N60RATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 110µJ (on), 220µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/127ns 테스트 조건: 400V, 6A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음5,220
AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 90µJ (on), 90µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/105ns 테스트 조건: 400V, 6A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음6,192
AIHD10N60RATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 210µJ (on), 380µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/192ns 테스트 조건: 400V, 10A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음3,654
AIHD10N60RFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 190µJ (on), 160µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/168ns 테스트 조건: 400V, 10A, 26Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음5,238
AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 370µJ (on), 530µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/183ns 테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음3,510
AIHD15N60RFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 240W 에너지 전환: 270µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/160ns 테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313	재고 있음3,186
AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns 테스트 조건: 600V, 20A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음12,690
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns 테스트 조건: 400V, 20A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1	재고 있음8,766
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 400A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전력-최대: 714W 에너지 전환: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 610nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/290ns 테스트 조건: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46	재고 있음19,596
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 480A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 772nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/310ns 테스트 조건: 400V, 120A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46	재고 있음4,846
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A 전력-최대: 166W 에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns 테스트 조건: 400V, 20A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음1,676
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A 전력-최대: 187W 에너지 전환: 690µJ (on), 770µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 167nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/254ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음7,944
AIKW40N65DF5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 74A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns 테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음8,760
AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 74A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns 테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음8,244
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 333W 에너지 전환: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns 테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음6,701
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1018nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음7,872
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 650V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1018nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음7,296
AIKW75N60CTE8188XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 428W 에너지 전환: 2mJ (on), 2.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 470nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/330ns 테스트 조건: 400V, 75A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 121ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음5,814
AIKW75N60CTXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IC DISCRETE 600V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: 428W 에너지 전환: 2mJ (on), 2.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 470nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/330ns 테스트 조건: 400V, 75A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41	재고 있음10,032
AOB10B60D Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 163W TO263 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 163W 에너지 전환: 260µJ (on), 70µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 17.4nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/72ns 테스트 조건: 400V, 10A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 105ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)	재고 있음3,852

AFGB40T65SQDN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/40A FS4 IGBT TO263 A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 238W
에너지 전환: 858µJ (on), 229µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.6ns/75.2ns
테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 131ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)

재고 있음8,100

AFGHL40T65SPD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FS3 T TO247 40A 650V AUTO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 267W
에너지 전환: 1.16MJ (on), 270µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 36nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/35ns
테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 35ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음9,912

AFGHL50T65SQDC

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 238W
에너지 전환: 131µJ (on), 96µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.6ns/94.4ns
테스트 조건: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음10,440

AIGW40N65F5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 74A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns
테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음7,020

AIGW40N65H5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 74A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns
테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음6,444

AIGW50N65F5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1018nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns
테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음2,073

AIGW50N65H5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1018nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns
테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음6,396

AIHD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전류-수집기 펄스 (Icm): 7.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
전력-최대: 53.6W
에너지 전환: 50µJ (on), 40µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 17.1nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/128ns
테스트 조건: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음8,208

AIHD04N60RATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 90µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/146ns
테스트 조건: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음2,214

AIHD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 60µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/116ns
테스트 조건: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음2,700

AIHD06N60RATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 110µJ (on), 220µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/127ns
테스트 조건: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음5,220

AIHD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 90µJ (on), 90µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/105ns
테스트 조건: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음6,192

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 210µJ (on), 380µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/192ns
테스트 조건: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음3,654

AIHD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 190µJ (on), 160µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/168ns
테스트 조건: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음5,238

AIHD15N60RATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 370µJ (on), 530µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/183ns
테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음3,510

AIHD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 240W
에너지 전환: 270µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/160ns
테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313

재고 있음3,186

AIKB20N60CTATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns
테스트 조건: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음12,690

AIKP20N60CTAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns
테스트 조건: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1

재고 있음8,766

AIKQ100N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 400A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전력-최대: 714W
에너지 전환: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 610nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/290ns
테스트 조건: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46

재고 있음19,596

AIKQ120N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 480A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 772nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/310ns
테스트 조건: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46

재고 있음4,846

AIKW20N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
전력-최대: 166W
에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns
테스트 조건: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음1,676

AIKW30N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
전력-최대: 187W
에너지 전환: 690µJ (on), 770µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 167nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/254ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음7,944

AIKW40N65DF5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 74A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns
테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음8,760

AIKW40N65DH5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 74A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 350µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/165ns
테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음8,244

AIKW50N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 333W
에너지 전환: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns
테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음6,701

AIKW50N65DF5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1018nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns
테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음7,872

AIKW50N65DH5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 650V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1018nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns
테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음7,296

AIKW75N60CTE8188XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 428W
에너지 전환: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 470nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/330ns
테스트 조건: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 121ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음5,814

AIKW75N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: 428W
에너지 전환: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 470nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/330ns
테스트 조건: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41

재고 있음10,032

AOB10B60D

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 163W TO263

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 163W
에너지 전환: 260µJ (on), 70µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 17.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/72ns
테스트 조건: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 105ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak)

재고 있음3,852

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