트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AOTF20B65M2 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 20A TO220 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A 전력-최대: 45W 에너지 전환: 580µJ (on), 280µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 46nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/123ns 테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 292ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음16,308
AOTF5B60D Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 10A 31.2W TO220F 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A 전력-최대: 31.2W 에너지 전환: 140µJ (on), 40µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 9.4nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/83ns 테스트 조건: 400V, 5A, 60Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 98ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220-3F	재고 있음6,498
AOTF5B65M1 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 5A TO220 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A 전력-최대: 25W 에너지 전환: 80µJ (on), 70µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8.5ns/106ns 테스트 조건: 400V, 5A, 60Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 195ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음19,752
AOTS40B65H1 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 40A TO220 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 1.27mJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 63nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/130ns 테스트 조건: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음18,216
APT100GN120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 245A 960W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 245A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전력-최대: 960W 에너지 전환: 11mJ (on), 9.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 540nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/615ns 테스트 조건: 800V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음22
APT100GN60B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 229A 625W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 229A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 600nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns 테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음42
APT100GN60LDQ4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 229A 625W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 229A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 600nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns 테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음7,902
APT100GT60B2RG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 148A 500W SOT247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 148A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 460nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/320ns 테스트 조건: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,500
APT102GA60B2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 183A 780W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 183A 전류-수집기 펄스 (Icm): 307A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A 전력-최대: 780W 에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 294nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns 테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음305
APT102GA60L Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 183A 780W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 183A 전류-수집기 펄스 (Icm): 307A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A 전력-최대: 780W 에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 294nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns 테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음20
APT11GF120BRDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A 156W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 300µJ (on), 285µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/100ns 테스트 조건: 800V, 8A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,582
APT11GF120KRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A 156W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전류-수집기 펄스 (Icm): 44A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A 전력-최대: 156W 에너지 전환: 300µJ (on), 285µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/100ns 테스트 조건: 800V, 8A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음6,408
APT11GP60BDQBG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 41A 187W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A 전력-최대: 187W 에너지 전환: 46µJ (on), 90µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 40nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/29ns 테스트 조건: 400V, 11A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,564
APT13GP120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 41A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns 테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,732
APT13GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 41A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns 테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음1,020
APT13GP120KG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 41A 250W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 114µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns 테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음5,418
APT150GN60B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 220A 536W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전류-수집기 펄스 (Icm): 450A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 970nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/430ns 테스트 조건: 400V, 150A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음860
APT150GN60LDQ4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 220A 536W TO-264L 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전류-수집기 펄스 (Icm): 450A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 970nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/430ns 테스트 조건: 400V, 150A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음8,784
APT15GN120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 45A 195W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns 테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음16
APT15GN120KG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 45A 195W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns 테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음5,940
APT15GP60BDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 56A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A 전류-수집기 펄스 (Icm): 65A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns 테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,420
APT15GP60BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 56A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A 전류-수집기 펄스 (Icm): 65A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 130µJ (on), 120µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns 테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,120
APT15GP60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 56A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A 전류-수집기 펄스 (Icm): 65A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns 테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,388
APT15GP60KG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 56A 250W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 56A 전류-수집기 펄스 (Icm): 65A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns 테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음4,140
APT15GP90BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 43A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns 테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,798
APT15GP90BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 43A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns 테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음2,088
APT15GP90KG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 43A 250W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 200µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns 테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음6,282
APT15GT120BRDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 36A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 36A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 585µJ (on), 260µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/85ns 테스트 조건: 800V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음2,772
APT15GT120BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 36A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 36A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 585µJ (on), 260µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/85ns 테스트 조건: 800V, 15A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,086
APT15GT60BRDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 42A 184W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 184W 에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,966

AOTF20B65M2

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 20A TO220

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A
전력-최대: 45W
에너지 전환: 580µJ (on), 280µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/123ns
테스트 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 292ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음16,308

AOTF5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 10A 31.2W TO220F

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
전력-최대: 31.2W
에너지 전환: 140µJ (on), 40µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 9.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/83ns
테스트 조건: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 98ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220-3F

재고 있음6,498

AOTF5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 5A TO220

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
전력-최대: 25W
에너지 전환: 80µJ (on), 70µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8.5ns/106ns
테스트 조건: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 195ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음19,752

AOTS40B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A TO220

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 63nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/130ns
테스트 조건: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음18,216

APT100GN120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 245A 960W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 245A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전력-최대: 960W
에너지 전환: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 540nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/615ns
테스트 조건: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음22

APT100GN60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 229A 625W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 229A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 600nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns
테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음42

APT100GN60LDQ4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 229A 625W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 229A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 600nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns
테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음7,902

APT100GT60B2RG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 148A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 460nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/320ns
테스트 조건: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,500

APT102GA60B2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 183A 780W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 183A
전류-수집기 펄스 (Icm): 307A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
전력-최대: 780W
에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 294nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns
테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음305

APT102GA60L

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 183A 780W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 183A
전류-수집기 펄스 (Icm): 307A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
전력-최대: 780W
에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 294nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns
테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음20

APT11GF120BRDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A 156W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 300µJ (on), 285µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/100ns
테스트 조건: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,582

APT11GF120KRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A 156W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전류-수집기 펄스 (Icm): 44A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
전력-최대: 156W
에너지 전환: 300µJ (on), 285µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/100ns
테스트 조건: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음6,408

APT11GP60BDQBG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 41A 187W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A
전력-최대: 187W
에너지 전환: 46µJ (on), 90µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 40nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7ns/29ns
테스트 조건: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,564

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 41A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns
테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,732

APT13GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 41A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns
테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음1,020

APT13GP120KG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 41A 250W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 114µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns
테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음5,418

APT150GN60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전류-수집기 펄스 (Icm): 450A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 970nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/430ns
테스트 조건: 400V, 150A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음860

APT150GN60LDQ4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 220A 536W TO-264L

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전류-수집기 펄스 (Icm): 450A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 970nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/430ns
테스트 조건: 400V, 150A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음8,784

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 195W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns
테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음16

APT15GN120KG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 195W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns
테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음5,940

APT15GP60BDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 56A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
전류-수집기 펄스 (Icm): 65A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns
테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,420

APT15GP60BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 56A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
전류-수집기 펄스 (Icm): 65A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 130µJ (on), 120µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns
테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,120

APT15GP60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 56A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
전류-수집기 펄스 (Icm): 65A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns
테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,388

APT15GP60KG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 56A 250W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 56A
전류-수집기 펄스 (Icm): 65A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 130µJ (on), 121µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/29ns
테스트 조건: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음4,140

APT15GP90BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 43A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns
테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,798

APT15GP90BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 43A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns
테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음2,088

APT15GP90KG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 43A 250W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 200µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/33ns
테스트 조건: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음6,282

APT15GT120BRDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 36A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 36A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 585µJ (on), 260µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/85ns
테스트 조건: 800V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음2,772

APT15GT120BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 36A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 36A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 585µJ (on), 260µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/85ns
테스트 조건: 800V, 15A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,086

APT15GT60BRDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 42A 184W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 184W
에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns
테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,966

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