트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT30GP60LDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 463W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음4,554
APT30GS60BRDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 113A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 570µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns 테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,600
APT30GS60BRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 250W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 113A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 570µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns 테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,406
APT30GS60KRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 250W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 113A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 570µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns 테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,884
APT30GT60BRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 64A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 80µJ (on), 605µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 7.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,648
APT30GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 64A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음886
APT30GT60KRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 64A 250W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음4,446
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 64A 357W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/185ns 테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,284
APT33GF120BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 52A 297W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 52A 전류-수집기 펄스 (Icm): 104A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 297W 에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/210ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음819
APT33GF120LRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 64A 357W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/185ns 테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음5,724
APT35GA90B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 63A 290W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 642µJ (on), 382µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/104ns 테스트 조건: 600V, 18A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,352
APT35GA90BD15 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 63A 290W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 642µJ (on), 382µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/104ns 테스트 조건: 600V, 18A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,012
APT35GN120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 94A 379W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 94A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전력-최대: 379W 에너지 전환: 2.315mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/300ns 테스트 조건: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,536
APT35GN120L2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 94A 379W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 94A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전력-최대: 379W 에너지 전환: 2.315mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/300ns 테스트 조건: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,784
APT35GP120B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 96A 543W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/95ns 테스트 조건: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음98
APT35GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 96A 543W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/94ns 테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음403
APT36GA60B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 65A 290W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): 109A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 307µJ (on), 254µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 102nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음379
APT36GA60BD15 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 65A 290W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): 109A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 307µJ (on), 254µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 18nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,586
APT40GP60B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 543W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 385µJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,210
APT40GP60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 543W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 385µJ (on), 352µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음517
APT40GP60SG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 543W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 385µJ (on), 352µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: D3 [S]	재고 있음2,592
APT40GP90B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 101A 543W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 101A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 795µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/90ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,200
APT40GP90BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 100A 543W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 825µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/75ns 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,282
APT40GR120B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 88A 500W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,478
APT40GR120B2D30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 88A 500W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,380
APT40GR120B2SCD10 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 88A 500W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 929µJ (on), 1070µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/166ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,528
APT40GR120S Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 88A 500W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음8,640
APT40GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 345W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 345W 에너지 전환: 828µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/124ns 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음13,164
APT43GA90B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 78A 337W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 129A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 337W 에너지 전환: 875µJ (on), 425µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 116nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/82ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음314
APT43GA90BD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 78A 337W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 129A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A 전력-최대: 337W 에너지 전환: 875µJ (on), 425µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 116nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/82ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,192

APT30GP60LDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 463W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음4,554

APT30GS60BRDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 113A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 570µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns
테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,600

APT30GS60BRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 250W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 113A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 570µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns
테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,406

APT30GS60KRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 250W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 113A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 570µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/360ns
테스트 조건: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,884

APT30GT60BRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 64A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 80µJ (on), 605µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 7.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 22ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,648

APT30GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 64A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음886

APT30GT60KRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 64A 250W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음4,446

APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/185ns
테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,284

APT33GF120BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 52A 297W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 52A
전류-수집기 펄스 (Icm): 104A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 297W
에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/210ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음819

APT33GF120LRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 64A 357W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/185ns
테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음5,724

APT35GA90B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 63A 290W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 642µJ (on), 382µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/104ns
테스트 조건: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,352

APT35GA90BD15

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 63A 290W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 642µJ (on), 382µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/104ns
테스트 조건: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,012

APT35GN120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 94A 379W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 94A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전력-최대: 379W
에너지 전환: 2.315mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/300ns
테스트 조건: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,536

APT35GN120L2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 94A 379W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 94A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전력-최대: 379W
에너지 전환: 2.315mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/300ns
테스트 조건: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,784

APT35GP120B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 96A 543W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/95ns
테스트 조건: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음98

APT35GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/94ns
테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음403

APT36GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): 109A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 307µJ (on), 254µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음379

APT36GA60BD15

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 290W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): 109A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 307µJ (on), 254µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 18nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,586

APT40GP60B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 543W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 385µJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns
테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,210

APT40GP60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 543W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 385µJ (on), 352µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns
테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음517

APT40GP60SG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 543W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 385µJ (on), 352µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/64ns
테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: D3 [S]

재고 있음2,592

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 101A 543W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 101A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 795µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/90ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,200

APT40GP90BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 100A 543W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 825µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/75ns
테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,282

APT40GR120B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 88A 500W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,478

APT40GR120B2D30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 88A 500W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,380

APT40GR120B2SCD10

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 88A 500W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 929µJ (on), 1070µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/166ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,528

APT40GR120S

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 88A 500W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/163ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음8,640

APT40GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 345W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 345W
에너지 전환: 828µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/124ns
테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음13,164

APT43GA90B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 129A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 337W
에너지 전환: 875µJ (on), 425µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 116nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/82ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음314

APT43GA90BD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 129A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
전력-최대: 337W
에너지 전환: 875µJ (on), 425µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 116nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/82ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,192

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