트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT54GA60BD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 96A 416W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 161A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A 전력-최대: 416W 에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 28nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns 테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음46
APT60GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 500W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 360A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 3.4mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 275nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/395ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음25,242
APT64GA90B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 117A 500W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A 전류-수집기 펄스 (Icm): 193A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1857µJ (on), 2311µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns 테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,606
APT64GA90B2D30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 117A 500W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A 전류-수집기 펄스 (Icm): 193A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1192µJ (on), 1088µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns 테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,004
APT64GA90LD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 117A 500W TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A 전류-수집기 펄스 (Icm): 193A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 1192µJ (on), 1088µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns 테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음6,354
APT65GP60B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 833W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 250A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 605µJ (on), 896µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/91ns 테스트 조건: 400V, 65A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음250
APT65GP60L2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 198A 833W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 198A 전류-수집기 펄스 (Icm): 250A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 605µJ (on), 895µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/90ns 테스트 조건: 400V, 65A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,838
APT68GA60B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 121A 520W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A 전류-수집기 펄스 (Icm): 202A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 520W 에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 298nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns 테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음5,922
APT68GA60B2D40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 121A 520W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A 전류-수집기 펄스 (Icm): 202A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 520W 에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 198nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns 테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,290
APT68GA60LD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 121A 520W TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A 전류-수집기 펄스 (Icm): 202A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 520W 에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 198nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns 테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음193
APT70GR120B2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 160A 961W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A 전력-최대: 961W 에너지 전환: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 544nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/278ns 테스트 조건: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,280
APT70GR120L Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 160A 961W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A 전력-최대: 961W 에너지 전환: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 544nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/278ns 테스트 조건: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음8,190
APT70GR65B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 134A 595W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전류-수집기 펄스 (Icm): 260A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A 전력-최대: 595W 에너지 전환: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 305nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/170ns 테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음6,174
APT70GR65B2DU40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A 전력-최대: 595W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 305nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/170ns 테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]	재고 있음5,400
APT70GR65B2SCD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전류-수집기 펄스 (Icm): 260A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A 전력-최대: 595W 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: 305nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/170ns 테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]	재고 있음4,806
APT75GN120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 200A 833W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 8045µJ (on), 7640µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 425nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/620ns 테스트 조건: 800V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,976
APT75GN120LG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 200A 833W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전력-최대: 833W 에너지 전환: 8620µJ (on), 11400µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 425nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/620ns 테스트 조건: 800V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음97
APT75GN60B2DQ3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 155A 536W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 155A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 485nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns 테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
APT75GN60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 155A 536W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 155A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 485nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns 테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,056
APT75GN60LDQ3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 155A 536W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 155A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 485nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns 테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음7,277
APT75GP120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 1042W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전력-최대: 1042W 에너지 전환: 1620µJ (on), 2500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 320nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/163ns 테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음259
APT80GA60B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 143A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 143A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 840µJ (on), 751µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 230nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/158ns 테스트 조건: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,290
APT80GA60LD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 143A 625W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 143A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 840µJ (on), 751µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 230nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/158ns 테스트 조건: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,570
APT80GA90B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 145A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 145A 전류-수집기 펄스 (Icm): 239A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns 테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,068
APT80GA90LD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 145A 625W TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 145A 전류-수집기 펄스 (Icm): 239A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns 테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음1,519
APT85GR120B2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 170A 962W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전류-수집기 펄스 (Icm): 340A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A 전력-최대: 962W 에너지 전환: 6mJ (on), 3.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 660nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 43ns/300ns 테스트 조건: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™	재고 있음7,740
APT85GR120L Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 170A 962W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전류-수집기 펄스 (Icm): 340A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A 전력-최대: 962W 에너지 전환: 6mJ (on), 3.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 660nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 43ns/300ns 테스트 조건: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,894
APT95GR65B2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 208A 892W T-MAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 208A 전류-수집기 펄스 (Icm): 400A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A 전력-최대: 892W 에너지 전환: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 420nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/226ns 테스트 조건: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]	재고 있음5,616
APT95GR65JDU60 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 135A 전류-수집기 펄스 (Icm): 380A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A 전력-최대: 446W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 420nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/226ns 테스트 조건: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,896
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 34A 100W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 68A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 260µJ (on), 3.45mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 50nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/540ns 테스트 조건: 480V, 18A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음3,672

APT54GA60BD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 96A 416W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 161A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
전력-최대: 416W
에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 28nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns
테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음46

APT60GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 500W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 360A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 3.4mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 275nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/395ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음25,242

APT64GA90B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 117A 500W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
전류-수집기 펄스 (Icm): 193A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1857µJ (on), 2311µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns
테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,606

APT64GA90B2D30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 117A 500W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
전류-수집기 펄스 (Icm): 193A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1192µJ (on), 1088µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns
테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,004

APT64GA90LD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 117A 500W TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
전류-수집기 펄스 (Icm): 193A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 1192µJ (on), 1088µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/131ns
테스트 조건: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음6,354

APT65GP60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 833W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 605µJ (on), 896µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/91ns
테스트 조건: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음250

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 198A 833W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 198A
전류-수집기 펄스 (Icm): 250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 605µJ (on), 895µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/90ns
테스트 조건: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,838

APT68GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
전류-수집기 펄스 (Icm): 202A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 520W
에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 298nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns
테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음5,922

APT68GA60B2D40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
전류-수집기 펄스 (Icm): 202A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 520W
에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 198nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns
테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,290

APT68GA60LD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 121A 520W TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
전류-수집기 펄스 (Icm): 202A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 520W
에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 198nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns
테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 22ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음193

APT70GR120B2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A 961W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
전력-최대: 961W
에너지 전환: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 544nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/278ns
테스트 조건: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,280

APT70GR120L

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A 961W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
전력-최대: 961W
에너지 전환: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 544nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/278ns
테스트 조건: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음8,190

APT70GR65B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 134A 595W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전류-수집기 펄스 (Icm): 260A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
전력-최대: 595W
에너지 전환: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 305nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/170ns
테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음6,174

APT70GR65B2DU40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
전력-최대: 595W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 305nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/170ns
테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]

재고 있음5,400

APT70GR65B2SCD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전류-수집기 펄스 (Icm): 260A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
전력-최대: 595W
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: 305nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/170ns
테스트 조건: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]

재고 있음4,806

APT75GN120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 200A 833W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 8045µJ (on), 7640µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 425nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/620ns
테스트 조건: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,976

APT75GN120LG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 200A 833W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전력-최대: 833W
에너지 전환: 8620µJ (on), 11400µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 425nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/620ns
테스트 조건: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음97

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 155A 536W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 155A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 485nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns
테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

APT75GN60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 155A 536W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 155A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 485nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns
테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,056

APT75GN60LDQ3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 155A 536W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 155A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 485nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns
테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음7,277

APT75GP120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전력-최대: 1042W
에너지 전환: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 320nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/163ns
테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음259

APT80GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 143A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 143A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 840µJ (on), 751µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 230nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/158ns
테스트 조건: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,290

APT80GA60LD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 143A 625W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 143A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 840µJ (on), 751µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 230nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/158ns
테스트 조건: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 22ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,570

APT80GA90B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 145A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 145A
전류-수집기 펄스 (Icm): 239A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns
테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,068

APT80GA90LD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 145A 625W TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 145A
전류-수집기 펄스 (Icm): 239A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns
테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음1,519

APT85GR120B2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 170A 962W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전류-수집기 펄스 (Icm): 340A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
전력-최대: 962W
에너지 전환: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 660nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 43ns/300ns
테스트 조건: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™

재고 있음7,740

APT85GR120L

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 170A 962W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전류-수집기 펄스 (Icm): 340A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
전력-최대: 962W
에너지 전환: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 660nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 43ns/300ns
테스트 조건: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,894

APT95GR65B2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 208A 892W T-MAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 208A
전류-수집기 펄스 (Icm): 400A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A
전력-최대: 892W
에너지 전환: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/226ns
테스트 조건: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]

재고 있음5,616

APT95GR65JDU60

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 135A
전류-수집기 펄스 (Icm): 380A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A
전력-최대: 446W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/226ns
테스트 조건: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,896

AUIRG4BC30S-S

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 100W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 68A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 50nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/540ns
테스트 조건: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음3,672

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