트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
AUIRGPS4070D0 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A 전류-수집기 펄스 (Icm): 360A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A 전력-최대: 750W 에너지 전환: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 250nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/140ns 테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 210ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-274AA 공급자 장치 패키지: PG-TO274-3-903	재고 있음1,956
AUIRGR4045D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 12A 77W DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A 전력-최대: 77W 에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 19.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns 테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 74ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252AA	재고 있음7,794
AUIRGR4045DTRL Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 12A 77W DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A 전력-최대: 77W 에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 19.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns 테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 74ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252AA	재고 있음5,184
AUIRGS30B60K Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 370W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A 전력-최대: 370W 에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 102nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음8,208
AUIRGS30B60KTRL Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 370W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A 전력-최대: 370W 에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 102nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음3,436
AUIRGS4062D1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 59A 246W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 59A 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A 전력-최대: 246W 에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 102ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음6,732
AUIRGS4062D1TRL Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 59A 246W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 59A 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A 전력-최대: 246W 에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 102ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음2,484
AUIRGSL30B60K Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 370W TO262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A 전력-최대: 370W 에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 102nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지: TO-262	재고 있음14,454
AUIRGSL4062D1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 59A 246W TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 59A 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A 전력-최대: 246W 에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 102ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지: TO-262	재고 있음12,792
AUIRGU4045D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 DIODE 600V IGBT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A 전력-최대: 77W 에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 19.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns 테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 74ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음8,928
AUXKNG4PH50S-215 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V TO247-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,056
AUXMIGP4063D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V TO-247 COPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,942
BUP213 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 32A 200W TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전류-수집기 펄스 (Icm): 64A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 200W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/400ns 테스트 조건: 600V, 15A, 82Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,376
DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 348W 에너지 전환: 1.44mJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 204nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 73ns/269ns 테스트 조건: 600V, 25A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,284
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 1.96mJ (on), 540µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 341nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/308ns 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,058
DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT600V-XITO-220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A 전력-최대: 48W 에너지 전환: 270µJ (on), 86µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 61nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/128ns 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 150ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: ITO-220AB	재고 있음14,328
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 341W 에너지 전환: 1.15mJ (on), 350µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 219nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 58ns/245ns 테스트 조건: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 145ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,526
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A 전력-최대: 230W 에너지 전환: 500µJ (on), 400µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/55ns 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,148
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A 전력-최대: 375W 에너지 전환: 770µJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 287nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 58ns/328ns 테스트 조건: 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,730
DGTD65T60S2PT Diodes Incorporated	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A 전력-최대: 428W 에너지 전환: 920µJ (on), 530µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/142ns 테스트 조건: 400V, 60A, 7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 205ns 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음2,988
FGA120N30DTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 120A 290W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 290W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 21ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음2,448
FGA15N120ANDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 24A 200W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 3.27mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 90ns/310ns 테스트 조건: 600V, 15A, 20Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 330ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음3,330
FGA15N120ANTDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 186W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT and Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 186W 에너지 전환: 3mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 330ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,132
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 186W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT and Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A 전력-최대: 186W 에너지 전환: 3mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 330ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음11,616
FGA15N120FTDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 220W TO3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A 전력-최대: 220W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 575ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음5,202
FGA15S125P ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1250V 30A 136W TO3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A 전력-최대: 136W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 129nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,364
FGA180N30DTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 180A 480W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전류-수집기 펄스 (Icm): 450A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 480W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 185nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 21ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,514
FGA180N33ATTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 180A 390W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전류-수집기 펄스 (Icm): 450A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 390W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 169nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,654
FGA20N120FTDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A 전력-최대: 298W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 137nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 447ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음24,240
FGA20S120M ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 348W TO3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A 전력-최대: 348W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 208nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,210

AUIRGPS4070D0

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
전류-수집기 펄스 (Icm): 360A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
전력-최대: 750W
에너지 전환: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 250nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/140ns
테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 210ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-274AA
공급자 장치 패키지: PG-TO274-3-903

재고 있음1,956

AUIRGR4045D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 12A 77W DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
전력-최대: 77W
에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 19.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns
테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 74ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252AA

재고 있음7,794

AUIRGR4045DTRL

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 12A 77W DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
전력-최대: 77W
에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 19.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns
테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 74ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252AA

재고 있음5,184

AUIRGS30B60K

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 370W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
전력-최대: 370W
에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음8,208

AUIRGS30B60KTRL

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 370W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
전력-최대: 370W
에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음3,436

AUIRGS4062D1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 59A 246W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 59A
전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
전력-최대: 246W
에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns
테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 102ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음6,732

AUIRGS4062D1TRL

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 59A 246W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 59A
전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
전력-최대: 246W
에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns
테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 102ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음2,484

AUIRGSL30B60K

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 370W TO262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
전력-최대: 370W
에너지 전환: 350µJ (on), 825µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/185ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지: TO-262

재고 있음14,454

AUIRGSL4062D1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 59A 246W TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 59A
전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
전력-최대: 246W
에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns
테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 102ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지: TO-262

재고 있음12,792

AUIRGU4045D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

DIODE 600V IGBT

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
전력-최대: 77W
에너지 전환: 56µJ (on), 122µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 19.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/75ns
테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 74ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음8,928

AUXKNG4PH50S-215

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V TO247-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,056

AUXMIGP4063D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V TO-247 COPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,942

BUP213

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 32A 200W TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전류-수집기 펄스 (Icm): 64A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 200W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 70ns/400ns
테스트 조건: 600V, 15A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,376

DGTD120T25S1PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 348W
에너지 전환: 1.44mJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 204nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 73ns/269ns
테스트 조건: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,284

DGTD120T40S1PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 1.96mJ (on), 540µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 341nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 65ns/308ns
테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,058

DGTD65T15H2TF

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT600V-XITO-220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
전력-최대: 48W
에너지 전환: 270µJ (on), 86µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 61nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/128ns
테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 150ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: ITO-220AB

재고 있음14,328

DGTD65T40S1PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 341W
에너지 전환: 1.15mJ (on), 350µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 219nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 58ns/245ns
테스트 조건: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 145ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,526

DGTD65T40S2PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
전력-최대: 230W
에너지 전환: 500µJ (on), 400µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/55ns
테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,148

DGTD65T50S1PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
전력-최대: 375W
에너지 전환: 770µJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 287nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 58ns/328ns
테스트 조건: 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,730

DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
전력-최대: 428W
에너지 전환: 920µJ (on), 530µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/142ns
테스트 조건: 400V, 60A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 205ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음2,988

FGA120N30DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 120A 290W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 290W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 21ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음2,448

FGA15N120ANDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 24A 200W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 3.27mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 90ns/310ns
테스트 조건: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 330ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음3,330

FGA15N120ANTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 186W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 186W
에너지 전환: 3mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 330ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,132

FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 186W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
전력-최대: 186W
에너지 전환: 3mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 330ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음11,616

FGA15N120FTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 220W TO3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
전력-최대: 220W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 575ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음5,202

FGA15S125P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 30A 136W TO3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A
전력-최대: 136W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 129nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,364

FGA180N30DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 180A 480W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전류-수집기 펄스 (Icm): 450A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 480W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 185nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 21ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,514

FGA180N33ATTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 180A 390W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전류-수집기 펄스 (Icm): 450A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 390W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 169nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,654

FGA20N120FTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 298W TO3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
전력-최대: 298W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 137nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 447ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음24,240

FGA20S120M

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
전력-최대: 348W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 208nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,210

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