트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT44GA60B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 337W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A 전력-최대: 337W 에너지 전환: 409µJ (on), 258µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 128nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/84ns 테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음1,083
APT44GA60BD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 337W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A 전력-최대: 337W 에너지 전환: 409µJ (on), 258µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 128nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/84ns 테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,586
APT44GA60BD30C Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 78A 337W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A 전력-최대: 337W 에너지 전환: 409µJ (on), 450µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 128nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/102ns 테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,236
APT45GP120B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 113A 625W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 113A 전류-수집기 펄스 (Icm): 170A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 900µJ (on), 905µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 185nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/100ns 테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,622
APT45GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 170A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 900µJ (on), 904µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 185nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/102ns 테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음462
APT45GR65B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 92A 357W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 92A 전류-수집기 펄스 (Icm): 168A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 900µJ (on), 580µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns 테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,292
APT45GR65B2DU30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 118A 전류-수집기 펄스 (Icm): 224A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 543W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns 테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]	재고 있음5,742
APT45GR65BSCD10 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 118A 전류-수집기 펄스 (Icm): 224A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 543W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns 테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,086
APT45GR65SSCD10 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 118A 전류-수집기 펄스 (Icm): 224A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A 전력-최대: 543W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns 테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음8,424
APT50GF120B2RG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 135A 781W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 135A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전력-최대: 781W 에너지 전환: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 340nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/260ns 테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
APT50GF120LRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 135A 781W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 135A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전력-최대: 781W 에너지 전환: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 340nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/260ns 테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음6,804
APT50GN120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 134A 543W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 4495µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 315nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/320ns 테스트 조건: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,614
APT50GN120L2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 134A 543W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 4495µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 315nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/320ns 테스트 조건: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,616
APT50GN60BDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 107A 366W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 107A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A 전력-최대: 366W 에너지 전환: 1185µJ (on), 1565µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 325nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/230ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,436
APT50GN60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 107A 366W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 107A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A 전력-최대: 366W 에너지 전환: 1185µJ (on), 1565µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 325nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/230ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음5,850
APT50GP60B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 150A 625W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 190A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 465µJ (on), 635µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/85ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,228
APT50GP60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 190A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 465µJ (on), 637µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/83ns 테스트 조건: 400V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,302
APT50GP60LDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 150A 625W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 190A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 456µJ (on), 635µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/85ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음5,922
APT50GR120B2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 117A 694W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A 전력-최대: 694W 에너지 전환: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 445nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/237ns 테스트 조건: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,562
APT50GR120L Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 117A 694W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A 전력-최대: 694W 에너지 전환: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 445nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/237ns 테스트 조건: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음2,286
APT50GS60BRDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 93A 415W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전류-수집기 펄스 (Icm): 195A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A 전력-최대: 415W 에너지 전환: 755µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 235nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,352
APT50GS60BRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 93A 415W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전류-수집기 펄스 (Icm): 195A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A 전력-최대: 415W 에너지 전환: 755µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 235nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns 테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음22,464
APT50GS60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 93A 415W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전류-수집기 펄스 (Icm): 195A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A 전력-최대: 415W 에너지 전환: 755µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 235nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,546
APT50GT120B2RDLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 106A 694W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 106A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 694W 에너지 전환: 3585µJ (on), 1910µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/215ns 테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,760
APT50GT120B2RDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 94A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 94A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 2330µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 340nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/230ns 테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,760
APT50GT120B2RG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 94A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 94A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 2330µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 340nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/230ns 테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,340
APT50GT120LRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 106A 694W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 106A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 694W 에너지 전환: 2585µJ (on), 1910µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/215ns 테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음4,464
APT50GT60BRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 110A 446W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A 전력-최대: 446W 에너지 전환: 995µJ (on), 1070µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/240ns 테스트 조건: 400V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,762
APT50GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 110A 446W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A 전력-최대: 446W 에너지 전환: 995µJ (on), 1070µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/240ns 테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,428
APT54GA60B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 96A 416W TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 161A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A 전력-최대: 416W 에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 158nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns 테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,464

APT44GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
전력-최대: 337W
에너지 전환: 409µJ (on), 258µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/84ns
테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음1,083

APT44GA60BD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 337W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
전력-최대: 337W
에너지 전환: 409µJ (on), 258µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/84ns
테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,586

APT44GA60BD30C

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 78A 337W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A
전력-최대: 337W
에너지 전환: 409µJ (on), 450µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/102ns
테스트 조건: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,236

APT45GP120B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 113A
전류-수집기 펄스 (Icm): 170A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 900µJ (on), 905µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 185nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/100ns
테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,622

APT45GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 170A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 900µJ (on), 904µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 185nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/102ns
테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음462

APT45GR65B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 92A 357W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 92A
전류-수집기 펄스 (Icm): 168A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 900µJ (on), 580µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns
테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,292

APT45GR65B2DU30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 118A
전류-수집기 펄스 (Icm): 224A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 543W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns
테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™ [B2]

재고 있음5,742

APT45GR65BSCD10

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 118A
전류-수집기 펄스 (Icm): 224A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 543W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns
테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,086

APT45GR65SSCD10

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 118A
전류-수집기 펄스 (Icm): 224A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A
전력-최대: 543W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/100ns
테스트 조건: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음8,424

APT50GF120B2RG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 135A 781W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 135A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전력-최대: 781W
에너지 전환: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/260ns
테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

APT50GF120LRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 135A 781W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 135A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전력-최대: 781W
에너지 전환: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/260ns
테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음6,804

APT50GN120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 134A 543W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 4495µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/320ns
테스트 조건: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,614

APT50GN120L2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 134A 543W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 4495µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/320ns
테스트 조건: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,616

APT50GN60BDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 107A 366W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 107A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
전력-최대: 366W
에너지 전환: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 325nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/230ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,436

APT50GN60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 107A 366W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 107A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
전력-최대: 366W
에너지 전환: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 325nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/230ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음5,850

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 150A 625W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 190A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 465µJ (on), 635µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/85ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,228

APT50GP60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 190A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 465µJ (on), 637µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/83ns
테스트 조건: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,302

APT50GP60LDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 150A 625W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 190A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 456µJ (on), 635µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/85ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음5,922

APT50GR120B2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 117A 694W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
전력-최대: 694W
에너지 전환: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 445nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/237ns
테스트 조건: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,562

APT50GR120L

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 117A 694W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
전력-최대: 694W
에너지 전환: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 445nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/237ns
테스트 조건: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음2,286

APT50GS60BRDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 93A 415W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전류-수집기 펄스 (Icm): 195A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
전력-최대: 415W
에너지 전환: 755µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 235nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,352

APT50GS60BRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 93A 415W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전류-수집기 펄스 (Icm): 195A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
전력-최대: 415W
에너지 전환: 755µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 235nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns
테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음22,464

APT50GS60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 93A 415W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전류-수집기 펄스 (Icm): 195A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
전력-최대: 415W
에너지 전환: 755µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 235nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/225ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,546

APT50GT120B2RDLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 106A 694W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 106A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 694W
에너지 전환: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/215ns
테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,760

APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 94A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 94A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 2330µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/230ns
테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,760

APT50GT120B2RG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 94A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 94A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 2330µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 340nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/230ns
테스트 조건: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,340

APT50GT120LRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 106A 694W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 106A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 694W
에너지 전환: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/215ns
테스트 조건: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음4,464

APT50GT60BRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 110A 446W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
전력-최대: 446W
에너지 전환: 995µJ (on), 1070µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/240ns
테스트 조건: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 22ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,762

APT50GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 110A 446W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
전력-최대: 446W
에너지 전환: 995µJ (on), 1070µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/240ns
테스트 조건: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,428

APT54GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 96A 416W TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 161A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
전력-최대: 416W
에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 158nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns
테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,464

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