트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT15GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 42A 184W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 184W 에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,186
APT15GT60KRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 42A 184W TO220 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 184W 에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220 [K]	재고 있음3,492
APT200GN60B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 283A 682W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 283A 전류-수집기 펄스 (Icm): 600A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A 전력-최대: 682W 에너지 전환: 13mJ (on), 11mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1180nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/560ns 테스트 조건: 400V, 200A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
APT20GF120BRDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 36A 200W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 36A 전류-수집기 펄스 (Icm): 64A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 895µJ (on), 840µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/120ns 테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,978
APT20GF120BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 32A 200W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전류-수집기 펄스 (Icm): 64A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 2.7mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/105ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,456
APT20GN60BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 136W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전력-최대: 136W 에너지 전환: 230µJ (on), 580µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/140ns 테스트 조건: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,172
APT20GN60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 136W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전력-최대: 136W 에너지 전환: 230µJ (on), 580µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/140ns 테스트 조건: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음275
APT20GT60BRDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 43A 174W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 174W 에너지 전환: 215µJ (on), 245µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/80ns 테스트 조건: 400V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음5,580
APT20GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 43A 174W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 174W 에너지 전환: 215µJ (on), 245µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/80ns 테스트 조건: 400V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,060
APT25GN120B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 67A 272W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 272W 에너지 전환: 2.15µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns 테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,224
APT25GN120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 67A 272W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 272W 에너지 전환: 2.15µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns 테스트 조건: 800V, 25A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,920
APT25GN120SG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 67A 272W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 272W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns 테스트 조건: 800V, 25A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음5,886
APT25GP120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 69A 417W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 500µJ (on), 440µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns 테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음493
APT25GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 69A 417W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 500µJ (on), 438µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns 테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,968
APT25GP90BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 72A 417W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 370µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음3,312
APT25GP90BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 72A 417W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 370µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,244
APT25GR120B Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음16,584
APT25GR120BD15 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,640
APT25GR120BSCD10 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 434µJ (on), 466µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음5,472
APT25GR120S Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음8,748
APT25GR120SD15 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음5,778
APT25GR120SSCD10 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대: 521W 에너지 전환: 434µJ (on), 466µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 203nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns 테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: D3Pak	재고 있음4,248
APT25GT120BRDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 54A 347W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전력-최대: 347W 에너지 전환: 930µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/150ns 테스트 조건: 800V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,172
APT25GT120BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 54A 347W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전력-최대: 347W 에너지 전환: 930µJ (on), 720µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/150ns 테스트 조건: 800V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,290
APT27GA90BD15 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 48A 223W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 79A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 413µJ (on), 287µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/98ns 테스트 조건: 600V, 14A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음8,028
APT30GN60BDQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 63A 203W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 203W 에너지 전환: 525µJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/155ns 테스트 조건: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,302
APT30GN60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 63A 203W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 203W 에너지 전환: 525µJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/155ns 테스트 조건: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음4,896
APT30GP60B2DLG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 463W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: T-MAX™	재고 있음8,604
APT30GP60BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 463W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음6,570
APT30GP60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 463W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음2,574

APT15GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 42A 184W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 184W
에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns
테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,186

APT15GT60KRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 42A 184W TO220

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 184W
에너지 전환: 150µJ (on), 215µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/105ns
테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220 [K]

재고 있음3,492

APT200GN60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 283A 682W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 283A
전류-수집기 펄스 (Icm): 600A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
전력-최대: 682W
에너지 전환: 13mJ (on), 11mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1180nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/560ns
테스트 조건: 400V, 200A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,336

APT20GF120BRDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 36A 200W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 36A
전류-수집기 펄스 (Icm): 64A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 895µJ (on), 840µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/120ns
테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,978

APT20GF120BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 32A 200W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전류-수집기 펄스 (Icm): 64A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 2.7mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/105ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,456

APT20GN60BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 136W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전력-최대: 136W
에너지 전환: 230µJ (on), 580µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/140ns
테스트 조건: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,172

APT20GN60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 136W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전력-최대: 136W
에너지 전환: 230µJ (on), 580µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/140ns
테스트 조건: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음275

APT20GT60BRDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 43A 174W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 174W
에너지 전환: 215µJ (on), 245µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/80ns
테스트 조건: 400V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음5,580

APT20GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 43A 174W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 174W
에너지 전환: 215µJ (on), 245µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/80ns
테스트 조건: 400V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,060

APT25GN120B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 67A 272W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 272W
에너지 전환: 2.15µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns
테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,224

APT25GN120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 67A 272W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 272W
에너지 전환: 2.15µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns
테스트 조건: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,920

APT25GN120SG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 272W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns
테스트 조건: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음5,886

APT25GP120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 69A 417W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 500µJ (on), 440µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns
테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음493

APT25GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 69A 417W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 500µJ (on), 438µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns
테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,968

APT25GP90BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 72A 417W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 370µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음3,312

APT25GP90BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 72A 417W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 370µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,244

APT25GR120B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음16,584

APT25GR120BD15

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,640

APT25GR120BSCD10

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 434µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음5,472

APT25GR120S

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음8,748

APT25GR120SD15

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 742µJ (on), 427µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음5,778

APT25GR120SSCD10

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
전력-최대: 521W
에너지 전환: 434µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 203nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
테스트 조건: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: D3Pak

재고 있음4,248

APT25GT120BRDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 54A 347W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전력-최대: 347W
에너지 전환: 930µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/150ns
테스트 조건: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,172

APT25GT120BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 54A 347W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전력-최대: 347W
에너지 전환: 930µJ (on), 720µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/150ns
테스트 조건: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,290

APT27GA90BD15

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 48A 223W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 79A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 413µJ (on), 287µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/98ns
테스트 조건: 600V, 14A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음8,028

APT30GN60BDQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 63A 203W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 203W
에너지 전환: 525µJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/155ns
테스트 조건: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,302

APT30GN60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 63A 203W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 203W
에너지 전환: 525µJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/155ns
테스트 조건: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음4,896

APT30GP60B2DLG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 463W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: T-MAX™

재고 있음8,604

APT30GP60BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음6,570

APT30GP60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음2,574

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