트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FGA6065ADF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 120A 306W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A 전력-최대: 306W 에너지 전환: 2.46mJ (on), 520µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns 테스트 조건: 400V, 60A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 110ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음7,668
FGA60N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 120A 298W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A 전력-최대: 298W 에너지 전환: 1.81mJ (on), 810µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 188nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/130ns 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 47ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,712
FGA60N65SMD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 120A 600W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전력-최대: 600W 에너지 전환: 1.54mJ (on), 450µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 189nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/104ns 테스트 조건: 400V, 60A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 47ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음15,276
FGA6530WDF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 60A 176W TO3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A 전력-최대: 176W 에너지 전환: 960µJ (on), 162µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37.4nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/42.4ns 테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 81ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음4,050
FGA6540WDF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 80A 238W TO-3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A 전력-최대: 238W 에너지 전환: 1.37mJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16.8ns/54.4ns 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 101ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,352
FGA6560WDF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 120A 306W TO-3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A 전력-최대: 306W 에너지 전환: 2.46mJ (on), 520µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns 테스트 조건: 400V, 60A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 110ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음5,886
FGA70N30TDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 201W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 201W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 21ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음4,248
FGA70N30TTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 201W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 201W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음2,106
FGA70N33BTDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 149W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A 전력-최대: 149W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음7,704
FGA90N30DTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 90A 219W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 219W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 87nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 21ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음4,068
FGA90N30TU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 90A 219W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 219W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 87nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음5,454
FGA90N33ATDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 90A 223W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 330A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 223W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 23ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,244
FGA90N33ATTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 90A 223W TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전류-수집기 펄스 (Icm): 330A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 223W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 95nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음2,268
FGAF20N60SMD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A 전력-최대: 75W 에너지 전환: 452µJ (on), 141µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 64nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/91ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 26.7ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음8,196
FGAF40N60SMD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 79W TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A 전력-최대: 115W 에너지 전환: 870µJ (on), 260µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 119nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/92ns 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 36ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음5,886
FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 100W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 470µJ (on), 130µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 95ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음8,688
FGAF40N60UFTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 100W TO3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 470µJ (on), 130µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음8,868
FGAF40S65AQ ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 40A FS4 SA IGBT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 94W 에너지 전환: 132µJ (on), 62µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.8ns/81.6ns 테스트 조건: 400V, 10A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 274ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF-3	재고 있음6,282
FGB20N60SF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 208W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 370µJ (on), 160µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/90ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음2,250
FGB20N60SFD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 208W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 370µJ (on), 160µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/90ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 34ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음6,840
FGB20N60SFD-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 208W D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 310µJ (on), 130µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 63nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/90ns 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 111ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음25,050
FGB20N6S2 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 28A 125W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 25µJ (on), 58µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음8,856
FGB20N6S2D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 28A 125W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 25µJ (on), 58µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 31ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음3,510
FGB3040CS ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 430V 21A 150W TO263-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: EcoSPARK® IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A 전력-최대: 150W 에너지 전환: - 입력 유형: Logic 게이트 차지: 15nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/4.7µs 테스트 조건: 300V, 1kOhm, 5V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 공급자 장치 패키지: TO-263-6	재고 있음3,508
FGB3040G2-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 41A TO263 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A 전력-최대: 150W 에너지 전환: - 입력 유형: Logic 게이트 차지: 21nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263)	재고 있음43,746
FGB3040G2-F085C ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A 전력-최대: 150W 에너지 전환: - 입력 유형: Logic 게이트 차지: 21nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs 테스트 조건: 5V, 470Ohm 역 복구 시간 (trr): 1.9µs 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)	재고 있음3,546
FGB30N6S2 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 167W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 108A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음7,848
FGB30N6S2D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 167W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 108A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 46ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음6,678
FGB30N6S2DT ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 167W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 108A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 46ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음7,398
FGB30N6S2T ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 167W TO263AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 108A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 110µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263AB	재고 있음4,302

FGA6065ADF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 306W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
전력-최대: 306W
에너지 전환: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns
테스트 조건: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 110ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음7,668

FGA60N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 298W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
전력-최대: 298W
에너지 전환: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/130ns
테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 47ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,712

FGA60N65SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 600W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전력-최대: 600W
에너지 전환: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 189nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/104ns
테스트 조건: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 47ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음15,276

FGA6530WDF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A 176W TO3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
전력-최대: 176W
에너지 전환: 960µJ (on), 162µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/42.4ns
테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 81ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음4,050

FGA6540WDF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
전력-최대: 238W
에너지 전환: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16.8ns/54.4ns
테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 101ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,352

FGA6560WDF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
전력-최대: 306W
에너지 전환: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25.6ns/71ns
테스트 조건: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 110ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음5,886

FGA70N30TDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 201W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 201W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 21ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음4,248

FGA70N30TTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 201W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 201W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음2,106

FGA70N33BTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 149W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A
전력-최대: 149W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 23ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음7,704

FGA90N30DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 90A 219W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 219W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 87nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 21ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음4,068

FGA90N30TU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 90A 219W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 219W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 87nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음5,454

FGA90N33ATDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 90A 223W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 330A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 223W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 23ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,244

FGA90N33ATTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 90A 223W TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전류-수집기 펄스 (Icm): 330A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 223W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음2,268

FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
전력-최대: 75W
에너지 전환: 452µJ (on), 141µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 64nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/91ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 26.7ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음8,196

FGAF40N60SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 79W TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
전력-최대: 115W
에너지 전환: 870µJ (on), 260µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 119nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/92ns
테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 36ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음5,886

FGAF40N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 470µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 95ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음8,688

FGAF40N60UFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 470µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음8,868

FGAF40S65AQ

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FS4 SA IGBT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 94W
에너지 전환: 132µJ (on), 62µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17.8ns/81.6ns
테스트 조건: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 274ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF-3

재고 있음6,282

FGB20N60SF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 370µJ (on), 160µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/90ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음2,250

FGB20N60SFD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 370µJ (on), 160µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/90ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 34ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음6,840

FGB20N60SFD-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 310µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 63nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/90ns
테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 111ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음25,050

FGB20N6S2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음8,856

FGB20N6S2D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 7.7ns/87ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 31ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음3,510

FGB3040CS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 430V 21A 150W TO263-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: EcoSPARK®
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
전력-최대: 150W
에너지 전환: -
입력 유형: Logic
게이트 차지: 15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/4.7µs
테스트 조건: 300V, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
공급자 장치 패키지: TO-263-6

재고 있음3,508

FGB3040G2-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 41A TO263

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
전력-최대: 150W
에너지 전환: -
입력 유형: Logic
게이트 차지: 21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263)

재고 있음43,746

FGB3040G2-F085C

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
전력-최대: 150W
에너지 전환: -
입력 유형: Logic
게이트 차지: 21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 900ns/4.8µs
테스트 조건: 5V, 470Ohm
역 복구 시간 (trr): 1.9µs
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK-3 (TO-263-3)

재고 있음3,546

FGB30N6S2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음7,848

FGB30N6S2D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 46ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음6,678

FGB30N6S2DT

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 46ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음7,398

FGB30N6S2T

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 110µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/40ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263AB

재고 있음4,302

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message