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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
FGH40N65UFDTU-F085
FGH40N65UFDTU-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 290W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 290W
  • 에너지 전환: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 119nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/126ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 65ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음2,898
FGH40N6S2
FGH40N6S2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 290W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 290W
  • 에너지 전환: 115µJ (on), 195µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 35nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/35ns
  • 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음4,014
FGH40N6S2D
FGH40N6S2D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 290W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 290W
  • 에너지 전환: 115µJ (on), 195µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 35nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/35ns
  • 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 48ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7,506
FGH40T100SMD
FGH40T100SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 333W
  • 에너지 전환: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 265nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/285ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 78ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음13,200
FGH40T100SMD-F155
FGH40T100SMD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 333W
  • 에너지 전환: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 398nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/285ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 78ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,300
FGH40T120SMD
FGH40T120SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 555W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 370nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/475ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 65ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음15,152
FGH40T120SMD-F155
FGH40T120SMD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 555W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 370nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/475ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 65ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음16,416
FGH40T120SMDL4
FGH40T120SMDL4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 555W
  • 에너지 전환: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 370nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/464ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 65ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-4
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음7,038
FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A UFS FOR SO

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 221nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/220ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 166ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-4
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-4L
재고 있음7,836
FGH40T65SHD-F155
FGH40T65SHD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 72.2nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19.2ns/65.6ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
재고 있음6,192
FGH40T65SHDF-F155
FGH40T65SHDF-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 68nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 101ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음9,780
FGH40T65SH-F155
FGH40T65SH-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 72.2nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19.2ns/65.6ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
재고 있음6,858
FGH40T65SPD-F085
FGH40T65SPD-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

AUTOMOTIVE 650V FS GEN3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 267W
  • 에너지 전환: 1.16MJ (on), 270µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 36nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/35ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,586
FGH40T65SPD-F155
FGH40T65SPD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 267W TO-247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 267W
  • 에너지 전환: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 35nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/37ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 34ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음83,766
FGH40T65SQD_F155
FGH40T65SQD_F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V FS4 TRENCH IGBT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 238W
  • 에너지 전환: 138µJ (on), 52µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 80nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16.4ns/86.4ns
  • 테스트 조건: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,244
FGH40T65SQD-F155
FGH40T65SQD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 40A FS4 TRENCH IGBT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 238W
  • 에너지 전환: 138µJ (on), 52µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 80nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16.4ns/86.4ns
  • 테스트 조건: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,282
FGH40T65UPD
FGH40T65UPD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-247AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 177nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/144ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 43ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음23,238
FGH40T65UQDF-F155
FGH40T65UQDF-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FS4TIGBT TO247 40A 650V

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 231W
  • 에너지 전환: 989µJ (on), 310µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 306nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/271ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 89ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,252
FGH40T70SHD-F155
FGH40T70SHD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 69nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/66ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 37ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7,260
FGH50N3
FGH50N3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 75A 463W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 463W
  • 에너지 전환: 130µJ (on), 92µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 180nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/135ns
  • 테스트 조건: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7,776
FGH50N6S2
FGH50N6S2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 463W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 463W
  • 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 70nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
  • 테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음3,276
FGH50N6S2D
FGH50N6S2D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 463W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 463W
  • 에너지 전환: 260µJ (on), 250µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 70nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/55ns
  • 테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 55ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음9,708
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V FS4 TRENCH IGBT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 180µJ (on), 45µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 99nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/105ns
  • 테스트 조건: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음21,108
FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 100A 340W TO-247AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 340W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 230nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/160ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 53ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음4,081
FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 378W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 378W
  • 에너지 전환: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 198nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/134ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 47ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,508
FGH60N60SFDTU-F085
FGH60N60SFDTU-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 378W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 378W
  • 에너지 전환: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 188nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/134ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 55ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,928
FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 378W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 378W
  • 에너지 전환: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 198nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/134ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음8,748
FGH60N60SMD
FGH60N60SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 600W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 600W
  • 에너지 전환: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 189nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/104ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 39ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음20,880
FGH60N60SMD-F085
FGH60N60SMD-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 600W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 600W
  • 에너지 전환: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 280nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/116ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 42ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음16,302
FGH60N60UFDTU
FGH60N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 298W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 298W
  • 에너지 전환: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 188nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/130ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 47ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음10,056