트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FGPF70N30TDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 49.2W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 49.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 21ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음8,190
FGPF70N30TTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 49.2W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 49.2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 125nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,122
FGPF70N33BTTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 48W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A 전력-최대: 48W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,182
FGPF7N60LSDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 14A 45W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 21A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A 전력-최대: 45W 에너지 전환: 270µJ (on), 3.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 24nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 120ns/410ns 테스트 조건: 300V, 7A, 470Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 65ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,704
FGPF7N60RUFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 14A 41W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 21A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A 전력-최대: 41W 에너지 전환: 230µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 24nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/60ns 테스트 조건: 300V, 7A, 30Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 65ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,358
FGPF90N30 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 56.8W TO220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A 전력-최대: 56.8W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 93nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,470
FGS15N40LTF ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 400V 2W 8SOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A 전력-최대: 2W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음135,783
FGY100T65SCDT ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 FS3TIGBT TO247 100A 650V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전력-최대: 750W 에너지 전환: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 157nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/216ns 테스트 조건: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 62ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음2,700
FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 240A 882W TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A 전류-수집기 펄스 (Icm): 378A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A 전력-최대: 882W 에너지 전환: 6.8µJ (on), 3.5µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/102ns 테스트 조건: 400V, 120A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 123ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Exposed Pad 공급자 장치 패키지: PowerTO-247-3	재고 있음8,148
FGY160T65SPD-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A 전류-수집기 펄스 (Icm): 480A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A 전력-최대: 882W 에너지 전환: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/98ns 테스트 조건: 400V, 160A, 15V 역 복구 시간 (trr): 132ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음8,508
FGY40T120SMD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 80A TO-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대: 882W 에너지 전환: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 370nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/475ns 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 65ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음9,348
FGY60T120SQDN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A UFS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A 전력-최대: 517W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 311nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/296ns 테스트 조건: 600V, 60A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음10,512
FGY75N60SMD ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 150A 750W POWER-247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A 전력-최대: 750W 에너지 전환: 2.3mJ (on), 770µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 248nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/136ns 테스트 조건: 400V, 75A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: PowerTO-247-3	재고 있음8,244
FGY75T120SQDN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A UFS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A 전력-최대: 790W 에너지 전환: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 399nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/332ns 테스트 조건: 600V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 99ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,878
FGY75T95LQDT ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 950V 75A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 950V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.69V @ 15V, 75A 전력-최대: 453W 에너지 전환: 2mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 663.3nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/496ns 테스트 조건: 600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 259ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음2,034
FGY75T95SQDT ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 950V 75A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 950V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A 전력-최대: 434W 에너지 전환: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 137nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28.8ns/117ns 테스트 조건: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 259ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,938
FID35-06C IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 38A 125W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 38A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음5,778
FID36-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 38A 125W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 38A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음149
FID60-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 65A 200W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 1mJ (on), 1.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 300V, 30A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,380
FIO50-12BD IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 600V, 30A, 39Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 150ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음2,016
GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V SOT247 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 35A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A 전력-최대: - 에너지 전환: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 50nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 800V, 35A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 36ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AB	재고 있음6,624
GN2470K4-G Microchip Technology	트랜지스터-IGBT-단일 IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전류-수집기 펄스 (Icm): 3.5A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5V @ 13V, 3A 전력-최대: 2.5W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/20ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음3,510
GPA015A120MN-ND Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 212W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: NPT and Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A 전력-최대: 212W 에너지 전환: 1.61mJ (on), 530µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/166ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 320ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,568
GPA020A120MN-FD Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 223W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 2.8mJ (on), 480µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/150ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 425ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,640
GPA020A135MN-FD Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1350V 40A 223W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A 전력-최대: 223W 에너지 전환: 2.5mJ (on), 760µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 180nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/175ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 425ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,024
GPA025A120MN-ND Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A 312W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: NPT and Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A 전력-최대: 312W 에너지 전환: 4.15mJ (on), 870µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 350nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 57ns/240ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 480ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음7,452
GPA030A120I-FD Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 329W TO247 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 329W 에너지 전환: 4.5mJ (on), 850µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 330nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 450ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음7,218
GPA030A120MN-FD Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 329W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 329W 에너지 전환: 4.5mJ (on), 850µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 330nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 450ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음4,212
GPA030A135MN-FDR Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1350V 60A 329W TO3PN 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 329W 에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 300nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/145ns 테스트 조건: 600V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 450ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3PN	재고 있음8,856
GPA040A120L-FD Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 80A 480W TO264 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전력-최대: 480W 에너지 전환: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 480nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/200ns 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 200ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,264

FGPF70N30TDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 49.2W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 49.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 21ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음8,190

FGPF70N30TTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 49.2W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 49.2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,122

FGPF70N33BTTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 48W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A
전력-최대: 48W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,182

FGPF7N60LSDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 45W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 21A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
전력-최대: 45W
에너지 전환: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 120ns/410ns
테스트 조건: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 65ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,704

FGPF7N60RUFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 41W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 21A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
전력-최대: 41W
에너지 전환: 230µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/60ns
테스트 조건: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 65ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,358

FGPF90N30

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 56.8W TO220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 30A
전력-최대: 56.8W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 93nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,470

FGS15N40LTF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 2W 8SOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A
전력-최대: 2W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음135,783

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

FS3TIGBT TO247 100A 650V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전력-최대: 750W
에너지 전환: 5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 157nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/216ns
테스트 조건: 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 62ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음2,700

FGY120T65SPD-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 240A 882W TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
전류-수집기 펄스 (Icm): 378A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
전력-최대: 882W
에너지 전환: 6.8µJ (on), 3.5µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/102ns
테스트 조건: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 123ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Exposed Pad
공급자 장치 패키지: PowerTO-247-3

재고 있음8,148

FGY160T65SPD-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
전류-수집기 펄스 (Icm): 480A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
전력-최대: 882W
에너지 전환: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 53ns/98ns
테스트 조건: 400V, 160A, 15V
역 복구 시간 (trr): 132ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음8,508

FGY40T120SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A TO-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전력-최대: 882W
에너지 전환: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 370nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/475ns
테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 65ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음9,348

FGY60T120SQDN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A UFS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 60A
전력-최대: 517W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 311nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/296ns
테스트 조건: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음10,512

FGY75N60SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 150A 750W POWER-247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A
전력-최대: 750W
에너지 전환: 2.3mJ (on), 770µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 248nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/136ns
테스트 조건: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: PowerTO-247-3

재고 있음8,244

FGY75T120SQDN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A UFS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A
전력-최대: 790W
에너지 전환: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 399nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/332ns
테스트 조건: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 99ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,878

FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 950V 75A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 950V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.69V @ 15V, 75A
전력-최대: 453W
에너지 전환: 2mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 663.3nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/496ns
테스트 조건: 600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 259ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음2,034

FGY75T95SQDT

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 950V 75A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 950V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
전력-최대: 434W
에너지 전환: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 137nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28.8ns/117ns
테스트 조건: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 259ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,938

FID35-06C

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 38A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음5,778

FID36-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 38A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음149

FID60-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 1mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 300V, 30A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,380

FIO50-12BD

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 600V, 30A, 39Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 150ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음2,016

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V SOT247

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 35A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 35A
전력-최대: -
에너지 전환: 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 50nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 800V, 35A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 36ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AB

재고 있음6,624

GN2470K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-IGBT-단일

IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전류-수집기 펄스 (Icm): 3.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5V @ 13V, 3A
전력-최대: 2.5W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 8ns/20ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음3,510

GPA015A120MN-ND

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
전력-최대: 212W
에너지 전환: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/166ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 320ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,568

GPA020A120MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/150ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 425ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,640

GPA020A135MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A
전력-최대: 223W
에너지 전환: 2.5mJ (on), 760µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 180nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/175ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 425ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,024

GPA025A120MN-ND

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
전력-최대: 312W
에너지 전환: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 350nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 57ns/240ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 480ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음7,452

GPA030A120I-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 329W TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 329W
에너지 전환: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 330nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 450ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음7,218

GPA030A120MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 329W
에너지 전환: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 330nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 450ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음4,212

GPA030A135MN-FDR

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 329W
에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 300nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/145ns
테스트 조건: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 450ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3PN

재고 있음8,856

GPA040A120L-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 480W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전력-최대: 480W
에너지 전환: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 480nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/200ns
테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 200ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,264

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