트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HGTP3N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 17A 70W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A 전력-최대: 70W 에너지 전환: 37µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 21nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/73ns 테스트 조건: 390V, 3A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,678
HGTP3N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 17A 70W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A 전력-최대: 70W 에너지 전환: 37µJ (on), 25µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 21nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/73ns 테스트 조건: 390V, 3A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 29ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,652
HGTP5N120BND ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 21A 167W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 450µJ (on), 390µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 53nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/160ns 테스트 조건: 960V, 5A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 65ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,424
HGTP7N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 34A 125W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음19,140
HGTP7N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 34A 125W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 34ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,268
HGTP7N60A4-F102 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 55µJ (on), 150µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,298
HGTP7N60B3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 14A 60W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 160µJ (on), 120µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/130ns 테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 37ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,930
HGTP7N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 14A 60W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A 전력-최대: 60W 에너지 전환: 165µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 23nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,192
IEWS20R5135IPBXKMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A 전력-최대: 288W 에너지 전환: 1.21mJ (off) 입력 유형: Logic 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 668ns/2034ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-6 공급자 장치 패키지: PG-TO247-6	재고 있음6,372
IGA03N120H2XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 3A 29W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A 전력-최대: 29W 에너지 전환: 290µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 8.6nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9.2ns/281ns 테스트 조건: 800V, 3A, 82Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3	재고 있음6,084
IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 18A 43W TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 43W 에너지 전환: 1.17mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack	재고 있음5,958
IGB01N120H2ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 3.5A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A 전력-최대: 28W 에너지 전환: 140µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 8.6nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/370ns 테스트 조건: 800V, 1A, 241Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음4,194
IGB03N120H2ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9.6A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.9A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A 전력-최대: 62.5W 에너지 전환: 290µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 22nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9.2ns/281ns 테스트 조건: 800V, 3A, 82Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음5,256
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A 전력-최대: 110W 에너지 전환: 430µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/215ns 테스트 조건: 400V, 10A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음21,456
IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A 전력-최대: 130W 에너지 전환: 570µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 87nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/188ns 테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음4,212
IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT PRODUCTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,060
IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 170W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 170W 에너지 전환: 690µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/194ns 테스트 조건: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)	재고 있음13,530
IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT PRODUCTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,232
IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 187W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 187W 에너지 전환: 1.17mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음12,756
IGB30N60TATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A 전력-최대: 187W 에너지 전환: 1.46mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 167nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/254ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음5,256
IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 100A 333W TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop® IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 333W 에너지 전환: 2.6mJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns 테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2	재고 있음2,872
IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT PRODUCTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ 5 IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 1.59mJ (on), 750µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/173ns 테스트 조건: 400V, 50A, 12Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음13,050
IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT PRODUCTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ 5 IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 1.23mJ (on), 740µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/139ns 테스트 조건: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3	재고 있음6,444
IGC07T120T8LX1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 12A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.02V @ 15V, 4A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,874
IGC11T120T8LX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,142
IGC13T120T8LX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,172
IGC18T120T8LX1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,298
IGC18T120T8QX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,978
IGC27T120T8LX1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,694
IGC27T120T8QX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 25A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: TrenchStop™ IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,760

HGTP3N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 17A 70W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
전력-최대: 70W
에너지 전환: 37µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/73ns
테스트 조건: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,678

HGTP3N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 17A 70W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
전력-최대: 70W
에너지 전환: 37µJ (on), 25µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/73ns
테스트 조건: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 29ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,652

HGTP5N120BND

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 450µJ (on), 390µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/160ns
테스트 조건: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 65ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,424

HGTP7N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 125W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음19,140

HGTP7N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 125W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 34ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,268

HGTP7N60A4-F102

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 55µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,298

HGTP7N60B3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 60W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 160µJ (on), 120µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/130ns
테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 37ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,930

HGTP7N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 60W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
전력-최대: 60W
에너지 전환: 165µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,192

IEWS20R5135IPBXKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT PWR MOD 20A 1350V TO247-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1350V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
전력-최대: 288W
에너지 전환: 1.21mJ (off)
입력 유형: Logic
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 668ns/2034ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-6
공급자 장치 패키지: PG-TO247-6

재고 있음6,372

IGA03N120H2XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 3A 29W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
전력-최대: 29W
에너지 전환: 290µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 8.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9.2ns/281ns
테스트 조건: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3

재고 있음6,084

IGA30N60H3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 18A 43W TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 43W
에너지 전환: 1.17mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack

재고 있음5,958

IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 3.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A
전력-최대: 28W
에너지 전환: 140µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 8.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 13ns/370ns
테스트 조건: 800V, 1A, 241Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음4,194

IGB03N120H2ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9.6A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.9A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
전력-최대: 62.5W
에너지 전환: 290µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 22nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9.2ns/281ns
테스트 조건: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음5,256

IGB10N60TATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 110W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
전력-최대: 110W
에너지 전환: 430µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/215ns
테스트 조건: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음21,456

IGB15N60TATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
전력-최대: 130W
에너지 전환: 570µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 87nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/188ns
테스트 조건: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음4,212

IGB15N65S5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT PRODUCTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,060

IGB20N60H3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 170W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 170W
에너지 전환: 690µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/194ns
테스트 조건: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)

재고 있음13,530

IGB20N65S5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT PRODUCTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,232

IGB30N60H3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 187W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 187W
에너지 전환: 1.17mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/207ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음12,756

IGB30N60TATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
전력-최대: 187W
에너지 전환: 1.46mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 167nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/254ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음5,256

IGB50N60TATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop®
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 333W
에너지 전환: 2.6mJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns
테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2

재고 있음2,872

IGB50N65H5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT PRODUCTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™ 5
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/173ns
테스트 조건: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음13,050

IGB50N65S5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT PRODUCTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™ 5
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/139ns
테스트 조건: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3

재고 있음6,444

IGC07T120T8LX1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.02V @ 15V, 4A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,874

IGC11T120T8LX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 8A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,142

IGC13T120T8LX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 8A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,172

IGC18T120T8LX1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,298

IGC18T120T8QX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,978

IGC27T120T8LX1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,694

IGC27T120T8QX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 25A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: TrenchStop™
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,760

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