트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HGTG11N120CND ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 43A 298W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A 전력-최대: 298W 에너지 전환: 950µJ (on), 1.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/180ns 테스트 조건: 960V, 11A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,208
HGTG12N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 167W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 78nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음3,222
HGTG12N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 167W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 78nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 30ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,284
HGTG12N60B3 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 27A 104W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 150µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 51nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/150ns 테스트 조건: 480V, 12A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,500
HGTG12N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 104W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 42ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음16,686
HGTG18N120BN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 54A 390W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 165A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A 전력-최대: 390W 에너지 전환: 800µJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/170ns 테스트 조건: 960V, 18A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,104
HGTG18N120BND ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 54A 390W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A 전력-최대: 390W 에너지 전환: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 165nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/170ns 테스트 조건: 960V, 18A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 75ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음19,692
HGTG20N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 290W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,816
HGTG20N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 290W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 35ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음11,568
HGTG20N60B3 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 165W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A 전력-최대: 165W 에너지 전환: 475µJ (on), 1.05mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음9,600
HGTG20N60B3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 40A 165W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A 전력-최대: 165W 에너지 전환: 475µJ (on), 1.05mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음18,816
HGTG20N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 45A 164W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A 전력-최대: 164W 에너지 전환: 500µJ (on), 500µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 91nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/151ns 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,064
HGTG27N120BN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 72A 500W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전류-수집기 펄스 (Icm): 216A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 270nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/195ns 테스트 조건: 960V, 27A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,732
HGTG30N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 75A 463W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 280µJ (on), 240µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/150ns 테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음40,266
HGTG30N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 75A 463W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A 전력-최대: 463W 에너지 전환: 280µJ (on), 240µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/150ns 테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음23,646
HGTG30N60B3 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 208W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 500µJ (on), 680µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/137ns 테스트 조건: 480V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,920
HGTG30N60B3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 208W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 550µJ (on), 680µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/137ns 테스트 조건: 480V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 55ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음16,914
HGTG30N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 63A 208W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A 전류-수집기 펄스 (Icm): 252A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A 전력-최대: 208W 에너지 전환: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음16,188
HGTG40N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 75A 625W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 400µJ (on), 370µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 350nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/145ns 테스트 조건: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,244
HGTG40N60B3 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 290W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 330A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 1.05mJ (on), 800µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 250nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/170ns 테스트 조건: 480V, 40A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,596
HGTG5N120BND ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 21A 167W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 21A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 450µJ (on), 390µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 53nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/160ns 테스트 조건: 960V, 5A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 65ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,372
HGTG7N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 34A 125W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음4,284
HGTG7N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 34A 125W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 34ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음6,768
HGTP10N120BN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 35A 298W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A 전력-최대: 298W 에너지 전환: 320µJ (on), 800µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/165ns 테스트 조건: 960V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,168
HGTP12N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 167W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 78nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,598
HGTP12N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 54A 167W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A 전력-최대: 167W 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 78nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 30ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음11,544
HGTP12N60C3 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 104W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,032
HGTP12N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 104W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,222
HGTP20N60A4 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 290W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A 전력-최대: 290W 에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음17,676
HGTP2N120CN ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 13A 104W TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 96µJ (on), 355µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/205ns 테스트 조건: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,428

HGTG11N120CND

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 43A 298W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
전력-최대: 298W
에너지 전환: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/180ns
테스트 조건: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,208

HGTG12N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음3,222

HGTG12N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 30ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,284

HGTG12N60B3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 27A 104W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 150µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 51nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/150ns
테스트 조건: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,500

HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 104W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 42ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음16,686

HGTG18N120BN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 54A 390W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 165A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
전력-최대: 390W
에너지 전환: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/170ns
테스트 조건: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,104

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 54A 390W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
전력-최대: 390W
에너지 전환: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 165nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/170ns
테스트 조건: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 75ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음19,692

HGTG20N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 290W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns
테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,816

HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 290W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns
테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 35ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음11,568

HGTG20N60B3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 165W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
전력-최대: 165W
에너지 전환: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음9,600

HGTG20N60B3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 165W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
전력-최대: 165W
에너지 전환: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음18,816

HGTG20N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 164W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
전력-최대: 164W
에너지 전환: 500µJ (on), 500µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 91nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/151ns
테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,064

HGTG27N120BN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 72A 500W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전류-수집기 펄스 (Icm): 216A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 270nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/195ns
테스트 조건: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,732

HGTG30N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 463W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 280µJ (on), 240µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/150ns
테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음40,266

HGTG30N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 463W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
전력-최대: 463W
에너지 전환: 280µJ (on), 240µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/150ns
테스트 조건: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음23,646

HGTG30N60B3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 208W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 500µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/137ns
테스트 조건: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,920

HGTG30N60B3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 208W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 550µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 36ns/137ns
테스트 조건: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 55ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음16,914

HGTG30N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 63A 208W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
전류-수집기 펄스 (Icm): 252A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
전력-최대: 208W
에너지 전환: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음16,188

HGTG40N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 625W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 400µJ (on), 370µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 350nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/145ns
테스트 조건: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,244

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 290W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 330A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 250nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/170ns
테스트 조건: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,596

HGTG5N120BND

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 21A 167W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 21A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 450µJ (on), 390µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/160ns
테스트 조건: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 65ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,372

HGTG7N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 125W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음4,284

HGTG7N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 125W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 34ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음6,768

HGTP10N120BN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
전력-최대: 298W
에너지 전환: 320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/165ns
테스트 조건: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,168

HGTP12N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,598

HGTP12N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
전력-최대: 167W
에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 30ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음11,544

HGTP12N60C3

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 104W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,032

HGTP12N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 104W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 40ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,222

HGTP20N60A4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 290W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
전력-최대: 290W
에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns
테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음17,676

HGTP2N120CN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 96µJ (on), 355µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/205ns
테스트 조건: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,428

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