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트랜지스터

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설명
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GPA040A120L-ND
GPA040A120L-ND

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 455W TO264

  • 제조업체: Global Power Technologies Group
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 455W
  • 에너지 전환: 5.8mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 510nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/200ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 220ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-264
재고 있음6,696
GPA040A120MN-FD
GPA040A120MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

  • 제조업체: Global Power Technologies Group
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 480W
  • 에너지 전환: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 480nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 55ns/200ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 200ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음8,028
GPA042A100L-ND
GPA042A100L-ND

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 60A 463W TO264

  • 제조업체: Global Power Technologies Group
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 463W
  • 에너지 전환: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 405nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 230ns/1480ns
  • 테스트 조건: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 465ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-264
재고 있음7,812
GPA060A060MN-FD
GPA060A060MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 347W TO3PN

  • 제조업체: Global Power Technologies Group
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 347W
  • 에너지 전환: 2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 225nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/150ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 140ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음7,254
GPI040A060MN-FD
GPI040A060MN-FD

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 231W TO3PN

  • 제조업체: Global Power Technologies Group
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 231W
  • 에너지 전환: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 173nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/85ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 60ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음2,466
GT10G131(TE12L,Q)
GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 1W 8-SOIC

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A
  • 전력-최대: 1W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 3.1µs/2µs
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)
재고 있음6,030
GT10J312(Q)
GT10J312(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 400ns/400ns
  • 테스트 조건: 300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 200ns
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-220SM
재고 있음7,830
GT50J121(Q)
GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 240W
  • 에너지 전환: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 90ns/300ns
  • 테스트 조건: 300V, 50A, 13Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3PL
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P(LH)
재고 있음2,448
GT60N321(Q)
GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 170W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 330ns/700ns
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): 2.5µs
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3PL
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P(LH)
재고 있음7,254
GT8G133(TE12L,Q)
GT8G133(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A
  • 전력-최대: 600mW
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 1.7µs/2µs
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음4,896
HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • 전력-최대: 298W
  • 에너지 전환: 320µJ (on), 800µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 100nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/165ns
  • 테스트 조건: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음8,172
HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • 전력-최대: 298W
  • 에너지 전환: 320µJ (on), 800µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 100nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/165ns
  • 테스트 조건: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음20,412
HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
  • 전력-최대: 167W
  • 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 78nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
  • 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 30ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음2,916
HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 54A 167W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
  • 전력-최대: 167W
  • 에너지 전환: 55µJ (on), 50µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 78nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/96ns
  • 테스트 조건: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음5,904
HGT1S14N36G3VLS
HGT1S14N36G3VLS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 390V 18A 100W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 390V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
  • 전력-최대: 100W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Logic
  • 게이트 차지: 24nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/7µs
  • 테스트 조건: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음7,362
HGT1S14N36G3VLT
HGT1S14N36G3VLT

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 390V 18A 100W TO262AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 390V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
  • 전력-최대: 100W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Logic
  • 게이트 차지: 24nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/7µs
  • 테스트 조건: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
재고 있음7,092
HGT1S20N35G3VLS
HGT1S20N35G3VLS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 380V 20A 150W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
  • 전력-최대: 150W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Logic
  • 게이트 차지: 28.7nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/15µs
  • 테스트 조건: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음4,212
HGT1S20N36G3VL
HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 395V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 37.7A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A
  • 전력-최대: 150W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Logic
  • 게이트 차지: 28.7nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/15µs
  • 테스트 조건: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
재고 있음6,120
HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 290W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 290W
  • 에너지 전환: 105µJ (on), 150µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 142nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/73ns
  • 테스트 조건: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음4,104
HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 45A 164W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 164W
  • 에너지 전환: 295µJ (on), 500µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 91nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/151ns
  • 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음21,156
HGT1S2N120CN
HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
  • 전력-최대: 104W
  • 에너지 전환: 96µJ (on), 355µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 30nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/205ns
  • 테스트 조건: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-262
재고 있음6,606
HGT1S3N60A4DS9A
HGT1S3N60A4DS9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
  • 전력-최대: 70W
  • 에너지 전환: 37µJ (on), 25µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 21nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 6ns/73ns
  • 테스트 조건: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 29ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음6,930
HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 34A 125W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
  • 전력-최대: 125W
  • 에너지 전환: 55µJ (on), 60µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 37nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 11ns/100ns
  • 테스트 조건: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 34ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음3,492
HGT1S7N60C3DS
HGT1S7N60C3DS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: 165µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 23nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 37ns
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음3,204
HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 60W TO263AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: 165µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 23nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 37ns
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB
재고 있음8,316
HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.3A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 6A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: 70µJ (on), 90µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 14nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/67ns
  • 테스트 조건: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252AA
재고 있음47,598
HGTD3N60C3S9A
HGTD3N60C3S9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 24A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
  • 전력-최대: 33W
  • 에너지 전환: 85µJ (on), 245µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 10.8nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252AA
재고 있음5,292
HGTD7N60C3S9A
HGTD7N60C3S9A

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 60W TO252AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 56A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: 165µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 23nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252AA
재고 있음6,408
HGTG10N120BND
HGTG10N120BND

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 35A 298W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • 전력-최대: 298W
  • 에너지 전환: 850µJ (on), 800µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 100nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/165ns
  • 테스트 조건: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 70ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음15,480
HGTG11N120CN
HGTG11N120CN

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 43A 298W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
  • 전력-최대: 298W
  • 에너지 전환: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 100nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/180ns
  • 테스트 조건: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7,110