Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 2036/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
FGA20S125P
FGA20S125P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 129nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음4,680
FGA20S125P-SN00336
FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 740µJ (on), 500µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 153nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/400ns
  • 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음6,336
FGA20S140P
FGA20S140P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1400V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 272W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 203.5nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음13,632
FGA25N120ANDTU
FGA25N120ANDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 310W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 310W
  • 에너지 전환: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/170ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 350ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음3,060
FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 312W
  • 에너지 전환: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/190ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 350ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음20,916
FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 312W
  • 에너지 전환: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/190ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 350ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음6,600
FGA25N120ANTU
FGA25N120ANTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 310W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 310W
  • 에너지 전환: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/170ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음3,312
FGA25N120FTD
FGA25N120FTD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 313W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 313W
  • 에너지 전환: 340µJ (on), 900µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 160nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 48ns/210ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 770ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음8,604
FGA25S125P
FGA25S125P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 204nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음5,436
FGA25S125P-SN00337
FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 1.09mJ (on), 580µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 204nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/502ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음7,128
FGA3060ADF
FGA3060ADF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 176W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 176W
  • 에너지 전환: 960µJ (on), 165µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 37.4nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/42.4ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 26ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음4,320
FGA30N120FTDTU
FGA30N120FTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 339W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 339W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 208nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): 730ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음6,252
FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 480W TO3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 480W
  • 에너지 전환: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 225nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/250ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 35ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음11,292
FGA30N65SMD
FGA30N65SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A 300W TO3P-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 716µJ (on), 208µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 87nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14ns/102ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 35ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음2,916
FGA30S120P
FGA30S120P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1300V 60A 348W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 348W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 78nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음9,336
FGA30T65SHD
FGA30T65SHD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 238W
  • 에너지 전환: 598µJ (on), 167µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 54.7nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 14.4ns/52.8ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음8,064
FGA4060ADF
FGA4060ADF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 238W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 238W
  • 에너지 전환: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 55.5nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16.8ns/54.4ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 26ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음4,608
FGA40N60UFDTU
FGA40N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 160W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 160W
  • 에너지 전환: 470µJ (on), 130µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 77nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/65ns
  • 테스트 조건: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 95ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음2,916
FGA40N65SMD
FGA40N65SMD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 349W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 349W
  • 에너지 전환: 820µJ (on), 260µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 119nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/92ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 42ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음7,800
FGA40S65SH
FGA40S65SH

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 194µJ (on), 388µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 73nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19.2ns/68.8ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음5,454
FGA40T65SHD
FGA40T65SHD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 72.2nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19.2ns/65.6ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음8,196
FGA40T65SHDF
FGA40T65SHDF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 68nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/64ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 101ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음3,420
FGA40T65UQDF
FGA40T65UQDF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 231W TO3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 231W
  • 에너지 전환: 989µJ (on), 310µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 306nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/271ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 89ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음5,616
FGA5065ADF
FGA5065ADF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 100A TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 268W
  • 에너지 전환: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 72.2nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20.8ns/62.4ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 31.8ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음8,334
FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 156W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 257nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/243ns
  • 테스트 조건: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 75ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음5,382
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 156W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 275nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): 1.5µs
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음1,240
FGA50N100BNTTU
FGA50N100BNTTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 156W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 257nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/243ns
  • 테스트 조건: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음7,758
FGA50N60LS
FGA50N60LS

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 240W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 240W
  • 에너지 전환: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 167nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 54ns/146ns
  • 테스트 조건: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음3,258
FGA50S110P
FGA50S110P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1100V 50A 300W TO3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 195nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음8,046
FGA50T65SHD
FGA50T65SHD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 319W
  • 에너지 전환: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 87nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22.4ns/73.6ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 34.6ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PN
재고 있음16,260