트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
VS-CPV362M4FPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8.8A 전력-최대: 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 4.8A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.34nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음2,250
VS-CPV362M4KPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음4,230
VS-CPV362M4UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 7.2A 전력-최대: 23W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 3.9A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.53nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음2,574
VS-CPV363M4FPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음7,326
VS-CPV363M4KPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A 전력-최대: 36W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음3,240
VS-CPV363M4UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전력-최대: 36W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 6.8A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음7,110
VS-CPV364M4FPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A 전력-최대: 63W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음488
VS-CPV364M4KPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전력-최대: 63W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음5,328
VS-CPV364M4UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 63W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2 공급자 장치 패키지: IMS-2	재고 있음8,694
VS-EMF050J60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전력-최대: 338W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK2 공급자 장치 패키지: EMIPAK2	재고 있음7,830
VS-EMG050J60N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전력-최대: 338W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK2 공급자 장치 패키지: EMIPAK2	재고 있음4,014
VS-ENQ030L120S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 61A 전력-최대: 216W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 230µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.34nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK-1B 공급자 장치 패키지: EMIPAK-1B	재고 있음8,550
VS-ETF075Y60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 109A 전력-최대: 294W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.44nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK-2B 공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B	재고 있음2,736
VS-ETF150Y65N Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 650V 150A EMIPAK-2B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 201A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,562
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 650V 150A EMIPAK-2B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 142A 전력-최대: 417W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.06V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK-2B 공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B	재고 있음5,130
VS-ETL015Y120H Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 22A 전력-최대: 89W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.03V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 75µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.07nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EMIPAK-2B 공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B	재고 있음6,642
VS-ETY020P120F Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 OUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 2B 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
VS-GA100NA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 250W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,744
VS-GA100TS120UPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 182A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.67nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음3,546
VS-GA100TS60SF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 780W 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음4,536
VS-GA100TS60SFPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음4,770
VS-GA200HS60S1 Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 480A 830W 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A 전력-최대: 830W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음7,596
VS-GA200HS60S1PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A 전력-최대: 830W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-Pak 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음2,070
VS-GA200SA60SP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 781W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,142
VS-GA200SA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 200A 500W SOT-227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,832
VS-GA200TH60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 260A 전력-최대: 1042W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대): 5µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK	재고 있음5,220
VS-GA250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 400A SOT227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 961W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,093
VS-GA300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 1136W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음8,514
VS-GA400TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750A 전력-최대: 1563W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음6,930
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE MTP SWITCH 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전력-최대: 76W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 12-MTP Module 공급자 장치 패키지: MTP	재고 있음6,048

VS-CPV362M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8.8A
전력-최대: 23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 4.8A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.34nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음2,250

VS-CPV362M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음4,230

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 7.2A
전력-최대: 23W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 3.9A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.53nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음2,574

VS-CPV363M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음7,326

VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
전력-최대: 36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음3,240

VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전력-최대: 36W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 6.8A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음7,110

VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
전력-최대: 63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음488

VS-CPV364M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전력-최대: 63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음5,328

VS-CPV364M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 63W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.1nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
공급자 장치 패키지: IMS-2

재고 있음8,694

VS-EMF050J60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전력-최대: 338W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK2
공급자 장치 패키지: EMIPAK2

재고 있음7,830

VS-EMG050J60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전력-최대: 338W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK2
공급자 장치 패키지: EMIPAK2

재고 있음4,014

VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 61A
전력-최대: 216W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 230µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.34nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK-1B
공급자 장치 패키지: EMIPAK-1B

재고 있음8,550

VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 109A
전력-최대: 294W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.44nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK-2B
공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B

재고 있음2,736

VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 201A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,562

VS-ETF150Y65U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 142A
전력-최대: 417W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.06V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK-2B
공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B

재고 있음5,130

VS-ETL015Y120H

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 22A
전력-최대: 89W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.03V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.07nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EMIPAK-2B
공급자 장치 패키지: EMIPAK-2B

재고 있음6,642

VS-ETY020P120F

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

OUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 2B

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

VS-GA100NA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 250W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,744

VS-GA100TS120UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 182A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.67nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음3,546

VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 780W

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음4,536

VS-GA100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음4,770

VS-GA200HS60S1

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 480A 830W

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
전력-최대: 830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음7,596

VS-GA200HS60S1PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
전력-최대: 830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 32.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-Pak
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음2,070

VS-GA200SA60SP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 781W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,142

VS-GA200SA60UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 200A 500W SOT-227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,832

VS-GA200TH60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 260A
전력-최대: 1042W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: Double INT-A-PAK

재고 있음5,220

VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A SOT227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 961W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,093

VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 1136W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음8,514

VS-GA400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750A
전력-최대: 1563W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음6,930

VS-GB05XP120KTPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE MTP SWITCH

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전력-최대: 76W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 12-MTP Module
공급자 장치 패키지: MTP

재고 있음6,048

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message