트랜지스터

STGWA40N120KD

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 240W TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 240W
• 에너지 전환: 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 126nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 48ns/338ns
• 테스트 조건: 960V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 84ns
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247

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STGWA40S120DF3

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A TO247-3L

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 468W
• 에너지 전환: 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 129nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/148ns
• 테스트 조건: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 355ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3

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STGWA45HF60WDI

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 310W TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 310W
• 에너지 전환: 330µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 160nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/145ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 90ns
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3

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STGWA50IH65DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: IH
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
• 전력-최대: 300W
• 에너지 전환: 284µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 158nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/260ns
• 테스트 조건: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA50M65DF2

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: M
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 전력-최대: 375W
• 에너지 전환: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 150nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/130ns
• 테스트 조건: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 162ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA60H65DFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
• 전력-최대: 375W
• 에너지 전환: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 306nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 66ns/210ns
• 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 60ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA60NC60WDR

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 130A 340W TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 250A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 340W
• 에너지 전환: 743µJ (on), 560µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 195nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns
• 테스트 조건: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 42ns
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA60V60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT BIPO 600V 60A TO247-3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 전력-최대: 375W
• 에너지 전환: 750µJ (on), 550µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 334nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/208ns
• 테스트 조건: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 74ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA75M65DF2

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: M
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 전력-최대: 468W
• 에너지 전환: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 225nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/125ns
• 테스트 조건: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 165ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT BIPO 650V 80A TO247-3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
• 전력-최대: 469W
• 에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 414nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/280ns
• 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 85ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA80H65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 469W TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
• 전력-최대: 469W
• 에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 414nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/280ns
• 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWA8M120DF3

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: M
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 32A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
• 전력-최대: 167W
• 에너지 전환: 390µJ (on), 370µJ (Off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 32nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/126ns
• 테스트 조건: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 103ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads

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STGWF30NC60S

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 35A 79W TO3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 79W
• 에너지 전환: 300µJ (on), 1.28mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 96nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21.5ns/180ns
• 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWF40V60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT BIPO 600V 40A TO3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): -
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
• 전력-최대: -
• 에너지 전환: 456µJ (on), 411µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: -
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
• 테스트 조건: -
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3PF

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STGWS38IH130D

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1300V 55A 180W TO247

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1300V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 125A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 180W
• 에너지 전환: 3.4mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 127nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/284ns
• 테스트 조건: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247

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STGWT15H60F

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: H
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 115W
• 에너지 전환: 136µJ (on), 207µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 81nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24.5ns/118ns
• 테스트 조건: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20H60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 167W TO3PF

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 167W
• 에너지 전환: 209µJ (on), 261µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 115nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42.5ns/177ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 90ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20H65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 40A 168W TO3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 168W
• 에너지 전환: 77µJ (on), 170µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 120nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/139ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20HP65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: HB
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 168W
• 에너지 전환: 170µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 120nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/139ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 140ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20IH125DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 전력-최대: 259W
• 에너지 전환: 410µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 68nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/106ns
• 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20V60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 167W TO3P-3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 167W
• 에너지 전환: 200µJ (on), 130µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 116nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 38ns/149ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 40ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT20V60F

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 40A 167W TO3PF

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 80A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 167W
• 에너지 전환: 200µJ (on), 130µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 116nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 38ns/149ns
• 테스트 조건: 400V, 20A, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT28IH125DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1250V 60A 375W TO-3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
• 전력-최대: 375W
• 에너지 전환: 720µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 114nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/128ns
• 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT30H60DFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 260W TO3PL

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 260W
• 에너지 전환: 383µJ (on), 293µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 149nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/146ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 53ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT30H65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 30A 260W TO3PL

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 260W
• 에너지 전환: 151µJ (on), 293µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 149nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/146ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT30HP65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TRENCH 650V 60A TO3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: HB
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 260W
• 에너지 전환: 293µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 149nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/146ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 140ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT30V60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 258W
• 에너지 전환: 383µJ (on), 233µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 163nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/189ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): 53ns
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT30V60F

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 260W TO3PF

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 전력-최대: 260W
• 에너지 전환: 383µJ (on), 233µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 163nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 45ns/189ns
• 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT38IH130D

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1300V 63A 250W TO3P

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• IGBT 유형: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1300V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 63A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 125A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 전력-최대: 250W
• 에너지 전환: 3.4mJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 127nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/284ns
• 테스트 조건: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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STGWT40H60DLFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
• 전력-최대: 283W
• 에너지 전환: 363µJ (off)
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 210nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/142ns
• 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
• 공급자 장치 패키지: TO-3P

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