트랜지스터

TIG111BF

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 2W TO220

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• IGBT 유형: NPT
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
• 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
• 전력-최대: 2W
• 에너지 전환: -
• 입력 유형: Standard
• 게이트 차지: 63nC
• Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 43ns/175ns
• 테스트 조건: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
• 역 복구 시간 (trr): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)

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2N2608

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JUNCTION FET P-CH TO-18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N2609

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFETS

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1A
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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2N3820

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92

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2N3820

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20V 0.35W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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2N3820_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 20V 0.35W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 10µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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2N3821

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/375
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-72

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2N3822

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/375
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-72

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2N3823

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/375
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-72

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2N4091

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N4091UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 3-UB (3.09x2.45)

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2N4092

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N4092UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 3-UB (3.09x2.45)

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2N4093

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N4093UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CHAN 40V 3SMD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 3-UB (3.09x2.45)

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2N4117A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4117A

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-JFET

DIE MOSFET N-CH 40V

• 제조업체: MICROSS/On Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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2N4117A-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4117A-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4118A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4118A-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4118A-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4119A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4119A-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4119A-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4338

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4338-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4338-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4339

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4339-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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