트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N4339-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음5,814
2N4341 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET IC JUNCTION FET N-CH TO-18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 325mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음205
2N4391 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: 100pA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음105
2N4391 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음99
2N4391 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음157
2N4391-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음3,400
2N4391-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음7,002
2N4391UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,820
2N4392 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음12,940
2N4392 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음18,915
2N4392 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,764
2N4392-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음3,384
2N4392-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음4,032
2N4392UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,230
2N4393 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음14,098
2N4393 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음11,723
2N4393 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음2,070
2N4393-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음4,806
2N4393-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음2,994
2N4393UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,976
2N4416 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음4,994
2N4416A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음1,818
2N4416A Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음2,060
2N4416A-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음8,136
2N4416A-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음2,736
2N4416-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음2,880
2N4856 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음1,073
2N4856JAN02 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음4,896
2N4856JTX02 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음7,380
2N4856JTXL02 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음8,892

2N4339-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음5,814

2N4341

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JUNCTION FET N-CH TO-18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 325mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음205

2N4391

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: 100pA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음105

2N4391

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음99

2N4391

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음157

2N4391-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음3,400

2N4391-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음7,002

2N4391UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,820

2N4392

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음12,940

2N4392

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음18,915

2N4392

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 1.8W TO-18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,764

2N4392-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음3,384

2N4392-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음4,032

2N4392UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,230

2N4393

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음14,098

2N4393

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음11,723

2N4393

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 1.8W TO-18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음2,070

2N4393-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음4,806

2N4393-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음2,994

2N4393UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,976

2N4416

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음4,994

2N4416A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음1,818

2N4416A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음2,060

2N4416A-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음8,136

2N4416A-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음2,736

2N4416-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음2,880

2N4856

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음1,073

2N4856JAN02

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음4,896

2N4856JTX02

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음7,380

2N4856JTXL02

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음8,892

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