트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MX2N4393UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,586
MX2N4856 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음8,766
MX2N4856UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,178
MX2N4857 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음8,334
MX2N4857UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
MX2N4858 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음8,118
MX2N4858UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,894
MX2N4859 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음5,868
MX2N4860 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음6,408
MX2N4860UB Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,104
MX2N4861 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음3,870
MX2N5114 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500 FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 75 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음5,814
MX2N5116 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500 FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 175 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음8,370
NSVJ2394SA3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET IC JFET N-CH LNA SC59-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 15V 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3	재고 있음1,375
NSVJ3557SA3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 15V 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3	재고 있음5,796
NSVJ3910SB3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음44,190
NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET NCH+NCH J-FET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 15V 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ) 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: SC-88AFL/MCPH5	재고 있음8,874
NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): 78 mOhms 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음8,010
P1086 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 75 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,934
P1086_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 75 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,248
P1086_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 75 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,262
P1087 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 350MW TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 150 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,322
P108718 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 150 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,662
P1087_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 150 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,344
P1087_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 150 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,490
PF5102 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	견적 요청
PF5103 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,056
PF53012 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.7V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,122
PMBF4391,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음23,383
PMBF4392,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음8,820

MX2N4393UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,586

MX2N4856

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음8,766

MX2N4856UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,178

MX2N4857

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음8,334

MX2N4857UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

MX2N4858

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음8,118

MX2N4858UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,894

MX2N4859

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음5,868

MX2N4860

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음6,408

MX2N4860UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,104

MX2N4861

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음3,870

MX2N5114

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 75 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음5,814

MX2N5116

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 175 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음8,370

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

IC JFET N-CH LNA SC59-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 15V
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3

재고 있음1,375

NSVJ3557SA3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 15V 32MA SC59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 15V
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3

재고 있음5,796

NSVJ3910SB3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음44,190

NSVJ5908DSG5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

NCH+NCH J-FET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 15V
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: SC-88AFL/MCPH5

재고 있음8,874

NSVJ6904DSB6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): 78 mOhms
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음8,010

P1086

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 75 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,934

P1086_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 75 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,248

P1086_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 75 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,262

P1087

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 350MW TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 150 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,322

P108718

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 150 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,662

P1087_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 150 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,344

P1087_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 150 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,490

PF5102

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

견적 요청

PF5103

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,056

PF53012

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.7V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,122

PMBF4391,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음23,383

PMBF4392,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음8,820

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