트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N7002PS,125 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 420mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음110,406
2N7002PSZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 280mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음8,712
2N7002PS/ZLH Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 990mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음8,766
2N7002PS/ZLX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 990mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음6,282
2N7002PV,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V 전력-최대: 330mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음34,674
2N7002V ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음22,296
2N7002V-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,442
2N7002VA ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563F	재고 있음26,550
2N7002VA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,040
2N7002VA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음161,454
2N7002VAC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,832
2N7002VC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,268
2N7002V-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,166
2N7334 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: MO-036AB	재고 있음3,672
2N7335 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: MO-036AB	재고 있음7,038
94-3449 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,320
AAT7347IAS-T1 Skyworks Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 8SOP 제조업체: Skyworks Solutions Inc. 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음130,446
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,790
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,136
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,966
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,238
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,326
ALD1101SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,050
ALD1102APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,262
ALD1102ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,092
ALD1102BPAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,964
ALD1102BSAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,784
ALD1102PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,110
ALD1102SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,158
ALD1103PBL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음7,254

2N7002PS,125

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 420mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음110,406

2N7002PSZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 280mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음8,712

2N7002PS/ZLH

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 990mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음8,766

2N7002PS/ZLX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 990mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음6,282

2N7002PV,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V
전력-최대: 330mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음34,674

2N7002V

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음22,296

2N7002V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,442

2N7002VA

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563F

재고 있음26,550

2N7002VA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,040

2N7002VA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음161,454

2N7002VAC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,832

2N7002VC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,268

2N7002V-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,166

2N7334

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: MO-036AB

재고 있음3,672

2N7335

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: MO-036AB

재고 있음7,038

94-3449

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,320

AAT7347IAS-T1

Skyworks Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 8SOP

제조업체: Skyworks Solutions Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음130,446

ALD1101APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음2,790

ALD1101ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,136

ALD1101BPAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음6,966

ALD1101BSAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,238

ALD1101PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,326

ALD1101SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,050

ALD1102APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음8,262

ALD1102ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,092

ALD1102BPAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음8,964

ALD1102BSAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,784

ALD1102PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,110

ALD1102SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음4,158

ALD1103PBL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40mA, 16mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 14-PDIP

재고 있음7,254

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