트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ALD110904SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,190
ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,848
ALD110908ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,946
ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,676
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,960
ALD110914PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,668
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,358
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 600mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,502
ALD1110ESAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 600mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,978
ALD1115MAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음5,256
ALD1115PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,792
ALD1115SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,588
ALD1116PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,720
ALD1116SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,102
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,974
ALD1117SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,940
ALD111910MAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8MSOP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,138
ALD111910PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,688
ALD111910SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,040
ALD111933MAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-MSOP	재고 있음3,384
ALD111933PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,892
ALD111933SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음9,960
ALD114804APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음2,448
ALD114804ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,724
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,606
ALD114804SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,456
ALD114813PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음4,770
ALD114813SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,042
ALD114835PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,994
ALD114835SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD® FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능: Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,570

ALD110904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 420mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,190

ALD110908APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,848

ALD110908ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 810mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,946

ALD110908PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음8,676

ALD110908SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 820mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,960

ALD110914PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,668

ALD110914SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.42V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,358

ALD1110EPAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 600mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음2,502

ALD1110ESAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.01V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 600mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,978

ALD1115MAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음5,256

ALD1115PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음6,792

ALD1115SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,588

ALD1116PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음6,720

ALD1116SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,102

ALD1117PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,974

ALD1117SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,940

ALD111910MAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8MSOP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,138

ALD111910PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,688

ALD111910SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,040

ALD111933MAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-MSOP

재고 있음3,384

ALD111933PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음8,892

ALD111933SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.35V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음9,960

ALD114804APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음2,448

ALD114804ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음5,724

ALD114804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음6,606

ALD114804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 360mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음3,456

ALD114813PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음4,770

ALD114813SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.26V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음3,042

ALD114835PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,994

ALD114835SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®
FET 유형: 4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능: Depletion Mode
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.45V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,570

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