트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ALD212908APAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,760
ALD212908ASAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,732
ALD212908PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,164
ALD212908SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,370
ALD212914PAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,632
ALD212914SAL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 500mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,276
ALD310700APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음4,734
ALD310700ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,218
ALD310700PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,148
ALD310700SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,758
ALD310702APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음4,482
ALD310702ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,982
ALD310702PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음3,150
ALD310702SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,934
ALD310704APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음3,562
ALD310704ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,300
ALD310704PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,058
ALD310704SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,286
ALD310708APCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음2,520
ALD310708ASCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,266
ALD310708PCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,066
ALD310708SCL Advanced Linear Devices Inc.	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC 제조업체: Advanced Linear Devices Inc. 시리즈: EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V 전력-최대: 500mW 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,870
AO3415B Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,004
AO4600C Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,106
AO4600CL Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,052
AO4606L Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,430
AO4606L_DELTA Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,762
AO4611 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 30V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음29,904
AO4612 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음365,142
AO4612L Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,220

ALD212908APAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음5,760

ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음6,732

ALD212908PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,164

ALD212908SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,370

ALD212914PAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 8-PDIP

재고 있음7,632

ALD212914SAL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,276

ALD310700APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음4,734

ALD310700ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,218

ALD310700PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,148

ALD310700SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음7,758

ALD310702APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음4,482

ALD310702ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음8,982

ALD310702PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음3,150

ALD310702SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 180mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,934

ALD310704APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음3,562

ALD310704ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음6,300

ALD310704PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음5,058

ALD310704SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 380mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음2,286

ALD310708APCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음2,520

ALD310708ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음4,266

ALD310708PCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음6,066

ALD310708SCL

Advanced Linear Devices Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

제조업체: Advanced Linear Devices Inc.
시리즈: EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형: 4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 780mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.5pF @ 5V
전력-최대: 500mW
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOIC

재고 있음3,870

AO3415B

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,004

AO4600C

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,106

AO4600CL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,052

AO4606L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,430

AO4606L_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 310pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,762

AO4611

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 30V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음29,904

AO4612

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음365,142

AO4612L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,220

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