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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
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AOC3860
AOC3860

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XDFN
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (3.05x1.77)
재고 있음5,886
AOC3860A
AOC3860A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: 6-AlphaDFN (3.05x1.77)
재고 있음8,748
AOC3862
AOC3862

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XDFN
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (3.55x1.77)
재고 있음3,924
AOC3864
AOC3864

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.4W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XDFN
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (2.7x1.8)
재고 있음3,472
AOC3868
AOC3868

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-XDFN
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (2.7x1.8)
재고 있음4,842
AOC3870
AOC3870

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
재고 있음5,904
AOC3870A
AOC3870A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHANNEL 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 2.3W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: 10-AlphaDFN (3.01x1.52)
재고 있음6,210
AOC4810
AOC4810

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 8-DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
  • 전력-최대: 900mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFLGA Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-AlphaDFN (3.2x2)
재고 있음7,254
AOD603A
AOD603A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A, 3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
  • 전력-최대: 2W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음7,074
AOD604
AOD604

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404pF @ 20V
  • 전력-최대: 1.6W, 1.7W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-5
재고 있음8,964
AOD606
AOD606

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404pF @ 20V
  • 전력-최대: 1.6W, 1.7W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음4,500
AOD607
AOD607

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel Complementary
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음6,876
AOD607_001
AOD607_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V TO252-4

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel Complementary
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음2,016
AOD607A
AOD607A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel Complementary
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 12A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
  • 전력-최대: 19W (Tc), 30W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음7,038
AOD607_DELTA
AOD607_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel Complementary
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V
  • 전력-최대: 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음4,806
AOD609
AOD609

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 20V
  • 전력-최대: 2W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음659,604
AOD661
AOD661

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 12A, 10V, 22.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
  • 전력-최대: 15.6W, 31W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
재고 있음3,420
AOE6922
AOE6922

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • FET 기능: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음7,830
AOE6930
AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
  • 전력-최대: 24W, 75W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음7,858
AOE6932
AOE6932

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
  • 전력-최대: 24W, 52W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음6,390
AOE6936
AOE6936

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
  • 전력-최대: 24W, 39W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음5,670
AON2800
AON2800

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음6,912
AON2801
AON2801

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음4,248
AON2801L
AON2801L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET P-CH DUAL DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (2x2)
재고 있음6,120
AON2801L#A
AON2801L#A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (2x2)
재고 있음5,454
AON2802
AON2802

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 245pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음5,202
AON2803
AON2803

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음2,124
AON2809
AON2809

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 415pF @ 6V
  • 전력-최대: 2.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음2,592
AON2810
AON2810

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN (2x2)
재고 있음6,498
AON2812
AON2812

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: AlphaMOS
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-DFN-EP (2x2)
재고 있음2,556