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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
AON6994
AON6994

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 26A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
재고 있음49,716
AON6996
AON6996

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A, 60A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
재고 있음6,840
AON6998
AON6998

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 26A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (5x6)
재고 있음8,370
AON7611
AON7611

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 18.5A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
재고 있음95,304
AON7804
AON7804

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 888pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음2,412,654
AON7804_101
AON7804_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 22A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 888pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W (Ta), 17W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
재고 있음5,652
AON7804_102
AON7804_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 888pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음8,082
AON7810
AON7810

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 542pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음3,078
AON7812
AON7812

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
  • 전력-최대: 4.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음3,672
AON7820
AON7820

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2065pF @ 10V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
재고 있음4,284
AON7826
AON7826

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
  • 전력-최대: 3.1W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음8,640
AON7900
AON7900

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 13A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.8W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
재고 있음2,556
AON7902
AON7902

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, 13A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.8W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
재고 있음4,014
AON7932
AON7932

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 8.1A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.4W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음7,452
AON7932_101
AON7932_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 8.1A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.4W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (3x3)
재고 있음8,442
AON7934
AON7934

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A, 15A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음2,034
AON7934_101
AON7934_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 485pF @ 15V, 807pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN-EP (3x3)
재고 있음4,590
AONX38168
AONX38168

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: XSPairFET™
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC, 85nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.15nF, 4.52nF @ 12.5V
  • 전력-최대: 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음5,076
AONY36352
AONY36352

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음2,844
AONY36354
AONY36354

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
  • 전력-최대: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
재고 있음8,208
AOP605
AOP605

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8DIP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음7,434
AOP607
AOP607

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8DIP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음4,356
AOP609
AOP609

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 8DIP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 30V
  • 전력-최대: 2.5W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음5,202
AOP610
AOP610

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8DIP

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 15V
  • 전력-최대: 2.3W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음7,542
AOSD21307
AOSD21307

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V DUAL P-CHANNEL MOSFET

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1995pF @ 15V
  • 전력-최대: 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,478
AOSD62666E
AOSD62666E

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 30V
  • 전력-최대: 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음27,966
APTC60AM18SCG
APTC60AM18SCG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: CoolMOS™
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 71.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1036nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
  • 전력-최대: 833W
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음6,102
APTC60AM242G
APTC60AM242G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: CoolMOS™
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
  • 전력-최대: 462W
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,118
APTC60AM24SCTG
APTC60AM24SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: CoolMOS™
  • FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
  • FET 기능: Super Junction
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
  • 전력-최대: 462W
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음5,508
APTC60AM24T1G
APTC60AM24T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
  • 전력-최대: 462W
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음6,750