트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTC60HM70RT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,146
APTC60HM70SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,178
APTC60HM70T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,672
APTC60HM70T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,418
APTC60HM83FT2G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7290pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,190
APTC60TAM21SCTPAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 580nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 100V 전력-최대: 625W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,022
APTC60TAM24TPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음8,514
APTC60TAM35PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 416W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,056
APTC60TDUM35PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 416W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,740
APTC60VDAM24T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,334
APTC60VDAM45T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,876
APTC80A10SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 273nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6761pF @ 25V 전력-최대: 416W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,464
APTC80A15SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,618
APTC80A15T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,042
APTC80AM75SCG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 364nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9015pF @ 25V 전력-최대: 568W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,520
APTC80DDA15T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,718
APTC80DDA29T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V 전력-최대: 156W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,446
APTC80DSK15T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,618
APTC80DSK29T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V 전력-최대: 156W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,336
APTC80H15T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,302
APTC80H15T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,984
APTC80H29SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V 전력-최대: 156W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,418
APTC80H29T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V 전력-최대: 156W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,970
APTC80H29T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V 전력-최대: 156W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,650
APTC80TA15PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,704
APTC80TDU15PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V 전력-최대: 277W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,994
APTC90AM602G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음4,986
APTC90AM60SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,902
APTC90AM60T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,520
APTC90DDA12T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,696

APTC60HM70RT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,146

APTC60HM70SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,178

APTC60HM70T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,672

APTC60HM70T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 259nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,418

APTC60HM83FT2G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7290pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,190

APTC60TAM21SCTPAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 580nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 100V
전력-최대: 625W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,022

APTC60TAM24TPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음8,514

APTC60TAM35PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 416W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,056

APTC60TDUM35PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 518nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 416W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,740

APTC60VDAM24T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 300nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 25V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,334

APTC60VDAM45T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 25V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,876

APTC80A10SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 273nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6761pF @ 25V
전력-최대: 416W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,464

APTC80A15SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,618

APTC80A15T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,042

APTC80AM75SCG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 364nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9015pF @ 25V
전력-최대: 568W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,520

APTC80DDA15T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,718

APTC80DDA29T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V
전력-최대: 156W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,446

APTC80DSK15T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,618

APTC80DSK29T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V
전력-최대: 156W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,336

APTC80H15T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,302

APTC80H15T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,984

APTC80H29SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V
전력-최대: 156W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,418

APTC80H29T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V
전력-최대: 156W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,970

APTC80H29T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2254pF @ 25V
전력-최대: 156W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,650

APTC80TA15PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,704

APTC80TDU15PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4507pF @ 25V
전력-최대: 277W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,994

APTC90AM602G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음4,986

APTC90AM60SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,902

APTC90AM60T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,520

APTC90DDA12T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,696

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