트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTC90DSK12T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,754
APTC90H12SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,816
APTC90H12T1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,784
APTC90H12T2G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음4,500
APTC90HM60T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,456
APTC90TAM60TPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V 전력-최대: 462W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,218
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET SIC PHASE LEG MODULE 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,904
APTJC120AM25VCT1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,348
APTM08TAM04PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V 전력-최대: 138W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,861
APTM08TDUM04PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V 전력-최대: 138W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,902
APTM100A12STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 616nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17400pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,546
APTM100A13DG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,058
APTM100A13SCG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,100
APTM100A13SG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,470
APTM100A18FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,930
APTM100A23SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,876
APTM100A23STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,942
APTM100A40FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,884
APTM100A46FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,384
APTM100AM90FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,966
APTM100DDA35T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,904
APTM100DSK35T3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,344
APTM100DU18TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,214
APTM100DUM90G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,916
APTM100H18FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,682
APTM100H35FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,596
APTM100H35FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,362
APTM100H45FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,228
APTM100H45SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,822
APTM100H45STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,356

APTC90DSK12T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,754

APTC90H12SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,816

APTC90H12T1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,784

APTC90H12T2G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 270nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 100V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음4,500

APTC90HM60T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,456

APTC90TAM60TPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 100V
전력-최대: 462W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,218

APTJC120AM13VCT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET SIC PHASE LEG MODULE

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,904

APTJC120AM25VCT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,348

APTM08TAM04PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
전력-최대: 138W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,861

APTM08TDUM04PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
전력-최대: 138W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,902

APTM100A12STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 68A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 616nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17400pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,546

APTM100A13DG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,058

APTM100A13SCG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,100

APTM100A13SG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 562nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15200pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,470

APTM100A18FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,930

APTM100A23SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,876

APTM100A23STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 308nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8700pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,942

APTM100A40FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 305nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7868pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,884

APTM100A46FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,384

APTM100AM90FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,966

APTM100DDA35T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,904

APTM100DSK35T3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,344

APTM100DU18TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,214

APTM100DUM90G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 744nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20700pF @ 25V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,916

APTM100H18FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 372nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,682

APTM100H35FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,596

APTM100H35FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,362

APTM100H45FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,228

APTM100H45SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,822

APTM100H45STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,356

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