트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A, 11.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 946pF @ 15V 전력-최대: 3.3W, 3.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,226
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A, 11.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 946pF @ 15V 전력-최대: 3.3W, 3.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,760
SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,194
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,510
SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,950
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,760
SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 15V 전력-최대: 4.5W, 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,960
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,454
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,496
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,436
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,994
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.13W, 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,586
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.13W, 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,366
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 15V 전력-최대: 2.78W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,898
SI4532DY ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음19,758
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,604
SI4539ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음34,649
SI4542DY ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음45,438
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,608
SI4542DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,020
SI4544DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,964
SI4544DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,264
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 20V 전력-최대: 3.1W, 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,862
SI4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V 전력-최대: 3.1W, 3.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음268,674
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V 전력-최대: 3.1W, 3.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음623,220
SI4561DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 20V 전력-최대: 3W, 3.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,460
SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 7.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 20V 전력-최대: 3W, 3.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,194
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,662
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,460
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 20V 전력-최대: 3.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,438

SI4388DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A, 11.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 946pF @ 15V
전력-최대: 3.3W, 3.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,226

SI4388DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.7A, 11.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 946pF @ 15V
전력-최대: 3.3W, 3.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,760

SI4500BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,194

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,510

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,950

SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A, 4.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,760

SI4501BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 805pF @ 15V
전력-최대: 4.5W, 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음3,960

SI4505DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,454

SI4505DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,496

SI4511DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,436

SI4511DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A, 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,994

SI4532ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.13W, 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,586

SI4532ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.13W, 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,366

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 15V
전력-최대: 2.78W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,898

SI4532DY

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음19,758

SI4539ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,604

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음34,649

SI4542DY

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음45,438

SI4542DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,608

SI4542DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,020

SI4544DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,964

SI4544DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,264

SI4554DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 20V
전력-최대: 3.1W, 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,862

SI4559ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V
전력-최대: 3.1W, 3.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음268,674

SI4559ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 665pF @ 15V
전력-최대: 3.1W, 3.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음623,220

SI4561DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 7.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 20V
전력-최대: 3W, 3.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,460

SI4561DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, 7.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 20V
전력-최대: 3W, 3.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,194

SI4562DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,662

SI4562DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,460

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 20V
전력-최대: 3.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,438

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