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트랜지스터

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부품 번호
설명
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SI1555DL-T1-E3
SI1555DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA, 570mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음3,654
SI1557DH-T1-E3
SI1557DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A, 770mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 470mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음2,124
SI1563DH-T1-E3
SI1563DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음4,572
SI1563DH-T1-GE3
SI1563DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음3,492
SI1563EDH-T1-E3
SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음6,588
SI1563EDH-T1-GE3
SI1563EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N and P-Channel
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A, 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,958
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 590mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음280,164
SI1900DL-T1-GE3
SI1900DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta), 590mA (Ta)
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 300mW, 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6
재고 있음3,834
SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 62pF @ 10V
  • 전력-최대: 420mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음3,888
SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,904
SI1902DL-T1-GE3
SI1902DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음111,750
SI1903DL-T1-E3
SI1903DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 995mOhm @ 410mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음4,212
SI1903DL-T1-GE3
SI1903DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 995mOhm @ 410mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음7,920
SI1905BDH-T1-E3
SI1905BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 62pF @ 4V
  • 전력-최대: 357mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,364
SI1905DL-T1-E3
SI1905DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 570mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 270mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음4,014
SI1912EDH-T1-E3
SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음2,628
SI1913DH-T1-E3
SI1913DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 880mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음3,526
SI1913EDH-T1-E3
SI1913EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 880mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,004
SI1917EDH-T1-E3
SI1917EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 570mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,868
SI1922EDH-T1-GE3
SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음264,168
SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18.5pF @ 30V
  • 전력-최대: 510mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음240,396
SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370mA
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18.5pF @ 30V
  • 전력-최대: 510mW
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음6,858
SI1958DH-T1-E3
SI1958DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음4,788
SI1965DH-T1-E3
SI1965DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 6V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음6,210
SI1965DH-T1-GE3
SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 6V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음46,872
SI1967DH-T1-E3
SI1967DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음7,848
SI1967DH-T1-GE3
SI1967DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 10V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음142,050
SI1970DH-T1-E3
SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음5,022
SI1970DH-T1-GE3
SI1970DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 95pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음8,262
SI1972DH-T1-E3
SI1972DH-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
  • FET 기능: Standard
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 15V
  • 전력-최대: 1.25W
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-70-6 (SOT-363)
재고 있음8,622