트랜지스터

SH8K41GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8K4TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8K51GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
• 전력-최대: 1.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8K52GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 25V
• 전력-최대: 1.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8K5TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8KA1GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pf @ 15V
• 전력-최대: 2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8KA2GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 15V
• 전력-최대: 2.8W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8KA4TB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 15V
• 전력-최대: 3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8KA7GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3320pF @ 15V
• 전력-최대: 2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M11TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M12TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M13GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M14TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M24GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC, 18.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF, 1700pF @ 10V
• 전력-최대: 1.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M24TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M2TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M31GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC, 40nC @ 5V, 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF, 2500pF @ 10V
• 전력-최대: 2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M3TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M41GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate, 4V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M41TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M4TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M51GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 2.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC, 12.5nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF, 1550pF @ 25V
• 전력-최대: 1.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SH8M5TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8M70TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8MA2GZETB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC, 6.7nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF, 305pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8MA3TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 6A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.2nC, 10nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF, 480pF @ 15V
• 전력-최대: 2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SH8MA4TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 8.5A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC, 19.6nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF, 890pF @ 15V
• 전력-최대: 2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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SI1016CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
• 전력-최대: 220mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SC-89-6

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SI1016X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 485mA, 370mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SC-89-6

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SI1016X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 485mA, 370mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SC-89-6

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